ООО ЭФО
Поиск по складу
Программа поставок 2016
Сегодня
www.powel.ru
источники питания
www.korpusa.ru
конструктивы и корпуса РЭА
www.wless.ru
беспроводные технологии
www.mymcu.ru
микроконтроллеры
altera-plis.ru
микросхемы Altera
www.infiber.ru
волоконно-оптические
компоненты в
промышленности
www.efo-power.ru
силовая электроника
www.efo-electro.ru
электротехническая
продукция
www.efometry.ru
контрольно-измерительные приборы
www.golledge.ru
кварцевые резонаторы и генераторы Golledge
www.sound-power.ru
профессиональные усилители класса D
Поиск по сайту
Подписка на новости

Система менеджмента
качества сертифицирована на соответствие требованиям:
ISO 9001, ГОСТ Р ИСО 9001 и СРПП ВТ - подтверждено сертификатами соответствия в системах сертификации Русского Регистра, ГОСТ Р, международной сети IQNet, "Оборонсертифика" и "Военный Регистр".

ООО "ЭФО" в 2011г. получило Лицензию Федеральной службы по экологическому, технологическому и атомному надзору на изготовление оборудования для ядерных установок.


Rambler s Top100



ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
EEN
webmaster
Санкт-Петербург: (812) 327-86-54  zav@efo.ru Москва: (495) 933-07-43  moscow@efo.ru Екатеринбург: (343) 278-71-36  ural@efo.ru Пермь: (342) 220-19-44  perm@efo.ru
Казань: (843) 518-79-20  kazan@efo.ru Ростов-на-Дону: (863) 220-36-79  rostov@efo.ru Н. Новгород: (831) 434-17-84  nnov@efo.ru Новосибирск: (383) 286-84-96  nsib@efo.ru
о нас склад библиотека статьи
 

Помехоустойчивые устройства

Алексей Кузнецов, г. Аделаида, Австралия
журнал "Схемотехника", N8 и N9
www.dian.ru

В предлагаемой статье рассматривается тема обеспечения помехоустойчивости аппаратуры.

ТИПИЧНЫЕ ПОМЕХИ

Источников помех, способных вызвать сбой или отказ устройства, существует бесчисленное множество.

Однако наиболее часто встречаются следующие помехи:

  • наносекундные помехи, которые, как правило, бывают вызваны срабатыванием механических контактов выключателей и реле. В зарубежной литературе этот вид помех называется EFT - Electric Fast Transients;
  • микросекундные помехи, связанные с работой реактивных элементов в цепях мощных нагрузок (зарядка конденсаторов, а также отдача энергии, накопленной в обмотках моторов, соленоидов и пр.). В зарубежной литературе этот вид помех называется surge;
  • помехи от электростатических разрядов; в основном это помехи, возникающие при касании "наэлектризованным" человеком различных электрических цепей. В зарубежной литературе этот вид помех называется ESD - Electrostatic Discharge;
  • помехи, вызванные работой близко расположенных радиопередатчиков;
  • помехи от мощных природных или искусственных источников энергии, прежде всего от грозовых разрядов.

Существуют российские и международные стандарты, оговаривающие требования к электромагнитной совместимости (ЭМС). Стандарты аккумулируют многолетний инженерный опыт. Однако сами по себе стандарты являются тяжело усваиваемым материалом, малопригодным для непосредственного руководства при проектировании или анализе поведения устройств. Стандарты разработаны таким образом, чтобы при испытании устройств достаточно аккуратно имитировать реальные помехи.

Целесообразно все помехи разделить на три абстрактных типа:

  • наносекундные помехи (НП);
  • мощные помехи (МП);
  • радиочастотные помехи (РП).

Практически все реальные помехи могут быть представлены как комбинации этих трех абстрактных. Например, EFT помехи - это пачки наносекундных помех НП, а ESD - это комбинация одиночной НП и одиночной МП. Поэтому если устройство устойчиво ко всем трем абстрактным типам помех, то с высокой степенью вероятности оно будет устойчиво и к реальным помехам, независимо от их происхождения.

Вопрос устойчивости к МП в большой степени является вопросом обеспечения надежности, пожаро- и электробезопасности. Устойчивость к МП и РП в данной статье не рассматривается.

НАНОСЕКУНДНЫЕ ПОМЕХИ

Этот тип помех является причиной большинства сбоев. При всем своем разнообразии наносекундные помехи обладают некоторыми общими свойствами:

  • одиночная НП - это почти дельта-функция, у нее чрезвычайно широкий спектр (до единиц гигагерц);
  • НП имеет ничтожную энергию, в отличие от МП она, как правило, не "выжигает" радиоэлектронные устройства, а вызывает обратимый сбой;
  • сбиваться могут только устройства, обладающие памятью, такие как микропроцессоры, счетчики и пр. Для чисто комбинационных цифровых узлов понятие "сбой" теряет смысл, так как они автоматически возвращаются в нужное состояние по окончании НП. Заметим, что аналоговые цепи тоже могут обладать "памятью" в виде емкостей или индуктивностей.

Чтобы лучше представить себе этот тип помех, полезно обратиться к стандарту МЭК 61000-4-4 (ГОСТ Р 51317.4.4-99). В нем сказано, что EFT помехи должны имитироваться пачками треугольных импульсов. Длительность переднего фронта у каждого импульса - 5 нс, длительность импульса - 50 нс на уровне 50 %. Внутреннее сопротивление генератора импульсов составляет 50 Ом, генератор должен быть заземлен.

Амплитуда НП-импульсов зависит от того, к какому классу по помехоустойчивости должно относиться испытуемое устройство, а также от того, куда подаются импульсы при испытании (табл. 1). Возможны испытания и более жесткие, чем указаны в таблице, если это требуется по условиям эксплуатации прибора. Однако в подавляющем большинстве случаев перечисленных в таблице степеней жесткости достаточно. Самые легкие испытания применяются к бытовой технике, самые жесткие - к промышленным и бортовым устройствам.

Таблица 1

Степень
жесткости
испытаний
Электропитание, заземление Сигналы ввода/вывода
Амплитуда
импульсов, кВ
Частота
повторения, кГц
Амплитуда
импульсов, кВ
Частота
повторения, кГц
10,550,255
2150,55
32515
442,525

В линии питания и заземления тестовые НП импульсы инжектируются непосредственно, без развязки. С учетом достаточно низкого сопротивления генератора сигналов, величины импульсных токов, протекающих в цепи общего провода, могут достигать огромных величин. Импульсные токи НП, протекающие по общему проводу устройства, создают заметное падение напряжения между различными точками этого провода, что может вызвать сбой.

В сигнальные цепи тестовые НП импульсы инжектируются через "емкостные клещи", куда по очереди закладываются все провода, приходящие к устройству. Емкость связи невелика - единицы пикофарад, но для НП импульсов даже сравнительно малые емкости не являются серьезным препятствием, настолько широк их спектр. НП, приходящая в устройство по сигнальным цепям, рано или поздно попадает на общий провод ("землю") устройства и далее проходит теми же путями, что и НП, инжектированная в цепь общего провода. Поскольку согласно стандарту, амплитуда сигнальной НП вдвое меньше, чем земляной, попавшая в общий провод сигнальная НП в дальнейшем уже не может вызвать эффекта худшего, чем земляная НП. Однако до того, как сигнальная НП попадет на общий провод, она может вызвать сбой непосредственно в цепях, связанных с данным сигналом.

Стандарт оговаривает, что испытуемое устройство должно находиться на изолирующей подставке на расстоянии 100 мм от сплошной заземленной поверхности. Это немаловажное требование, так как между устройством и этой поверхностью образуется емкостная связь, иногда одного этого достаточно для сбоя.

На рис. 1 условно показано некое устройство, состоящее из узлов 1-4. Узлы 1 и 2 не подключены к внешним цепям, но они могут сбиваться из-за падения напряжения на внутреннем общем проводе, вызванном прохождением тока помехи IGND (на рис. 1 показана помеха, инжектируемая в линию заземления). Узлы 3 и 4 подключены к внешним устройствам, поэтому помимо упомянутых сбоев они дополнительно подвержены сбоям из-за токов помех I1 и I2, проходящих через их терминалы.


Рис.1

Два типа проверок, оговоренных стандартом (со стороны заземления и со стороны сигналов), взаимодополняют друг друга.

На рис. 1 можно выделить три составляющих помехоустойчивости устройства к НП, рассматриваемые далее более подробно:

  • внутренний общий провод ("земля") устройства;
  • барьеры;
  • емкостные связи.

Внутренний общий провод устройства. В момент прохождения НП по внутреннему общему проводу создается заметная разность напряжений между различными его точками ("перекосы"). Например, если узлы 1 и 2 (рис. 1) являются цифровыми, собранными на микросхемах ТТЛШ, то разность напряжений примерно в 1 В между точками "а" и "б" способна вызвать сбой.

Основную роль в создании падения напряжения играет не резистивная, а индуктивная составляющая цепи общего провода. За счет огромной крутизны фронтов НП даже мизерных индуктивностей общего провода или даже слоев в печатных платах бывает достаточно для сбоя.

Рассмотрим эквивалентную схему на рис. 2.


Рис.2

Источник помехи - генератор треугольных импульсов UGEN. Фронт нарастания помехи - 5 нс, длительность по уровню 50 % равна 50 нс (рис. 3), сопротивление источника помехи RGEN равно 50 Ом, как оговорено стандартом. Амплитуда импульса помехи - 1 кВ, что соответствует сравнительно "мягким" испытаниям согласно табл. 1.


Рис.3

Конденсатор CCPL представляет собой емкость связи, LW - индуктивность проводов, подключенных к устройству. Для схемы на рис. 1 емкость связи CCPL состоит из параллельно включенных CX1, CX2 плюс, возможно, емкости, привносимые внешними устройствами.

Индуктивность LW представляет суммарную индуктивность всех проводников на пути помехи, за исключением индуктивности общего провода на рассматриваемом участке (в нашем случае на участке "а"-"б" рис. 1), которая обозначена как LGND. Предположим, что индуктивность общего провода LGND равна 10 нГн, а индуктивность остальных цепей - 100 нГн.

Для ориентировки отметим, что печатный проводник шириной 5 мм и длиной 10 мм имеет индуктивность более 10 нГн, проводник шириной 0,35 мм и длиной 10 мм - примерно 17 нГн. Квадратная площадка размерами 25x25 мм имеет индуктивность более 20 нГн.

На рис. 4 показана форма падения напряжения на LGND для следующих случаев:

  1. СCPL = 10 пФ, LW = 100 нГн.
  2. СCPL = 100 пФ, LW = 100 нГн.
  3. СCPL = 0,1 мкФ, LW = 100 нГн.
  4. СCPL = 0,1 мкФ, LW = 0.


Рис.4

При прохождении помехи на индуктивности внутреннего общего провода устройства создается падение напряжения, достаточное для сбоя. Увидеть такую помеху при помощи запоминающего осциллографа весьма затруднительно по ряду причин, в том числе по причине ограниченной скорости большинства современных запоминающих осциллографов.

Из этого следует, что даже сплошной слой общего провода не спасет устройство на рис. 1 от сбоев, и в нем "перекосы" при прохождении НП могут достигать десятков вольт.

Устойчивость устройства к воздействию НП не может быть достигнута только за счет утолщения проводников общего провода, заливки свободных мест печатной платы проводником общего провода или использования многослойных плат. За счет одних только "толстых" общих проводников можно получить выигрыш в помехоустойчивости примерно в 1,5:3 раза, что на фоне сигналов помех, показанных на рис. 4, совершенно недостаточно.

Развязка внешних сигналов при помощи оптронов тоже считается хорошим средством повышения помехоустойчивости, но на самом деле не является надежной защитой от НП. Типичная емкость оптрона - 0,5 пФ, при подстановке этого значения в качестве CCPL падение напряжения на индуктивности LGND в схеме на рис. 2 уменьшается до 4 В, что все равно достаточно для сбоя. Если устройство имеет несколько линий ввода/вывода, развязанных оптронами, то емкость CCPL будет соответственно больше.

Радикального уменьшения напряжения помех на внутреннем общем проводе устройства можно достичь, если правильно скомпоновать устройство и выбрать оптимальную точку заземления. Например, вполне очевидно, что по внутреннему общему проводу устройства на рис. 5 токи помех на участке "а"-"в" вообще не текут, соответственно, не возникает причин для сбоя узлов 1 и 2.

В устройстве на рис. 5 внутренний общий провод устройства разделен на две части: "чистую" ("а"-"в") и "грязную" ("в"-"г"). По "чистой" части токи помех не протекают, к ней можно присоединять все узлы, потенциально чувствительные к помехам (узлы 1 и 2). Токи помех текут только по "грязной" части, с которой можно связывать только узлы, нечувствительные к помехам (узлы 3 и 4).


Рис.5

Реальная картина вряд ли будет такой простой, как на рис. 5. Паразитную емкость Сх очень редко удается сосредоточить только в "грязной" части, частично она существует и в "чистой" левой. За счет этой емкости полностью избавиться от токов помех в "чистой" части общего провода не удается.

Проиллюстрируем сказанное в предыдущей части статьи несколькими примерами.

Пример 1

На рис. 6 представлена схема кварцевого генератора микроконтроллера. Основу генератора составляет инвертирующий усилитель, встроенный в микроконтроллер. Режим работы по постоянному току задается встроенным высокоомным резистором, включенным между входом и выходом этого усилителя. Для корректной работы генератора дополнительно к внешнему кварцевому резонатору ZQ1 требуются два конденсатора малой емкости - С1 и С2. Конденсаторы и минус питания микропроцессора подключены к внутреннему общему проводу устройства.


Рис.6

Точки подключения конденсаторов и микроконтроллера к общему проводу печатной платы играют существенную роль. Малейший перекос напряжений общего провода между С1 и VSS, возникающий при прохождении НП по общему проводу устройства, будет многократно усилен и попадет внутрь микроконтроллера как короткий ложный тактовый импульс. Поскольку длительность ложного тактового импульса намного меньше, чем длительность "настоящих", внутренняя логика микропроцессора может перейти в непредсказуемое состояние. Микропроцессор "зависнет", и не всякий встроенный сторожевой таймер сможет его сбросить, так как в некоторых микроконтроллерах сторожевые таймеры тактируются от общего генератора и сами могут "зависнуть" после воздействия такой помехи.

На рис. 7 показаны примеры разводки этого узла на печатной плате. Фрагмент слева разведен обычным образом в предположении, что общий провод печатной платы эквипотенциален. Конденсаторы С1 и С2 подключены к нему точно также, как и все остальные элементы, толщина проводников общего провода выбрана большой. Такая разводка встречается часто, но она не обеспечивает высокой помехоустойчивости.


Рис.7

Фрагмент справа разведен таким образом, чтобы ток помех не протекал по дорожке, соединяющей конденсаторы С1 и С2 с выводом минуса питания микроконтроллера. Эта дорожка образует участок "чистого" общего провода. Помехоустойчивость микропроцессорного устройства с такой разводкой максимальна.

Пример 2

Вход сброса микроконтроллера является еще одной цепью, подверженной влиянию наносекундных помех. Нередко разработчики игнорируют этот очевидный факт и используют разветвленную цепь сброса, непосредственно подключенную к различным узлам на плате. Перекос общего провода между источником сигнала сброса (часто это супервизор питания) и микроконтроллером вызывает ложный сброс устройства.

Схемотехнически решить эту проблему нетрудно, достаточно на вход микроконтроллера добавить простую RC-цепочку, как показано на рис. 8. Однако такое решение должно сопровождаться и правильной разводкой "холодного" вывода конденсатора С3, иначе никакой пользы оно не принесет.

Требования к разводке проводника, соединяющего С3 с минусовым выводом микроконтроллера такие же, как для первого примера: никакие другие детали, кроме С3, к этому проводнику подключать нельзя. Исключение составляют только конденсаторы кварцевого генератора (С1 и С2 на рис. 6).


Рис.8

Пример 3

Обеспечить высокую помехоустойчивость устройства можно на этапе общей компоновки. Типичная плата устройства, при компоновке которой вопросы помехоустойчивости не были приняты во внимание, показана на рис. 9. Для подключения внешних сигналов и питания в нем использованы все четыре кромки печатной платы. Микропроцессор расположен почти в центре печатной платы, т. е. в месте максимально подверженном влиянию наносекундных помех. В случае использования сплошного общего провода очень вероятно, что такое устройство будет сбиваться.


Рис.9

Не меняя компоновки существенного улучшения помехоустойчивости в таком устройстве можно достичь, если разделить общий провод на "чистую" и "грязную" части, как условно показано на рис. 9. Наружный контур является "грязной" частью, он специально предназначен для распространения наносекундных помех. К "грязной" части нельзя подключать устройства, чувствительные к помехам.

Внутренний "полуостров" "чистой" части соединен с "грязной" частью в одной точке. Во все сигнальные линии, проходящие между "чистой" и "грязной" частями, необходимо добавить резисторы или дроссели, чтобы преградить путь НП (барьеры).

Дальнейшее улучшение помехоустойчивости достигается перекомпоновкой устройства, как показано на рис. 10. Видно, что все терминалы сосредоточены с одной "грязной" стороны платы. Тем самым путь распространения помех по общему проводу платы значительно сокращен.


Рис.10

Барьеры. После того как внутренний общий провод устройства разделен на "чистые" и "грязные" части, возникает вопрос - как предотвратить проникновение помех из "грязной" части в "чистую"? Например, в устройстве на рис. 5 узел 2 подключен к "чистой" части, но он обменивается сигналами с узлом 3, который подвержен влиянию помех. В приведенном выше примере 3 было упомянуто, что сигнальные цепи, соединяющие узлы на "чистой" и "грязной" частях, должны содержать барьеры для помех - резисторы или дроссели. Практика показывает, что повсеместное использование барьеров обычно повышает помехоустойчивость устройства в несколько раз.

Пример 4

Рассмотрим микроконтроллер, управляющий мощной нагрузкой при помощи реле через биполярный транзистор (рис. 11).


Рис.11

Контакты реле являются источником наносекундных помех. Кроме того, внешние помехи достаточно легко проходят "сквозь" реле за счет его паразитной проходной емкости и емкостей монтажа. Вместе с тем ни реле, ни транзистор VT1 сами по себе влиянию НП не подвержены.

Минусовый вывод микроконтроллера VSS подключен к "чистой" части общего провода, эмиттер транзистора VT1 - к "грязной". Резистор R1 помимо своей основной функции выполняет роль барьера, препятствующего распространению помех из "грязной" части в "чистую". Проходная емкость резистора, как правило, мала, порядка 0,2...0,3 пФ, поэтому резистор создает достаточно эффективный барьер для НП. В особо тяжелых случаях для уменьшения проходной емкости можно включать по два-три резистора последовательно.

Если бы вместо биполярного использовался полевой транзистор, то R1 пришлось бы поставить именно в качестве барьера, хотя для функционирования схемы он был бы не нужен.

Пример 5

Другой типичный пример - подключение оптронов к микроконтроллеру. На рис. 12 представлен фрагмент входной и выходной оптронной развязки.


Рис.12

Эмиттер входного оптрона U1 подключен к "грязной" части общего провода, так как за счет проходной емкости в 0,5 пФ оптрон полупрозрачен для НП. Сам низкоскоростной оптрон достаточно безразличен к НП, но надо заметить, что оптроны с подключенным выводом базы фототранзистора иногда "ловят помеху", поэтому предпочтительней использовать оптроны без вывода базы.

Резистор R1 может быть подключен как к "грязному", так и к "чистому" выводам питания, поскольку сам резистор является барьером, препятствующим прохождению НП на "чистое" питание.

Резистор R2 сопротивлением 1...100 кОм служит барьером для помех между оптроном и микроконтроллером. Конденсатор С1 не является обязательным элементом, однако его наличие дополнительно улучшает помехоустойчивость, так как уменьшает ток помех, протекающий по выводу VSS микроконтроллера. Конденсатор С1 и микроконтроллер подключены к "чистой" части общего провода.

Анод светодиода выходного оптрона U2 подключен к "грязному" питанию +5 В. Токозадающий резистор R3 одновременно служит барьером для помех. В особо тяжелой помеховой обстановке полезно зашунтировать светодиод оптрона конденсатором 1...10 нФ или хотя бы резистором.

В случае, когда невозможно или неудобно подключать оптрон к "грязному" питанию, можно разделить токозадающий резистор на два, как это показано для оптрона U3. Резистор R5 служит барьером для помех между оптроном и "чистой" шиной питания +5 В.

ЕМКОСТНЫЕ СВЯЗИ

Часть тока помех на рис. 1 протекает через емкость связи СХ. Вспомним, что при испытании устройства на помехоустойчивость оно должно находиться на изолирующей подставке на высоте 100 мм над сплошной заземленной поверхностью. Иногда одной только емкости связи с землей бывает достаточно для сбоя устройства.

Разделение общего провода на "чистую" и "грязную" части само по себе не уменьшает суммарную величину емкостной связи. Соотношение емкостей связи для "чистой" и "грязной" частей соответствует отношению их площадей.

Вполне очевидными методами борьбы с емкостными связями являются перераспределение частей общего провода, уменьшение площадей проводников и частичное экранирование.

Обратите внимание на положение микропроцессора на рис. 10. Он расположен в углу платы, поэтому за счет емкостной связи сквозь него будет течь сравнительно небольшой ток. На рис. 9 он расположен иначе. Большой полигон "чистой" части общего провода справа от него имеет значительную емкостную связь с истинной землей, поэтому вероятность сбоя будет намного больше.

Пример 6

На рис. 13 показаны два варианта разводки площадки общего провода под микроконтроллером. Вместо кварцевого резонатора и конденсаторов используется трехвыводной керамический резонатор для монтажа на поверхность Х1. Разводка выполнена для гипотетического "правильного" микроконтроллера, разработчики которого позаботились о помехоустойчивости и расположили общий вывод между выводами генератора. Это не утопия, микроконтроллеры семейства M16C фирмы Renesas, которые являются одними из самых помехоустойчивых 16-битных микроконтроллеров, действительно имеют подобное расположение выводов.


Рис.13

Неиспользованные выводы микроконтроллера подключены к внутренней площадке общего провода. На рис. 13 слева эта площадка соединена с "чистой" частью общего провода платы несколькими переходными отверстиями. За счет этого устройство оказывается непомехоустойчивым. Ток помехи, протекающий по "чистой" части и уходящий в истинную землю через емкостную связь, создает градиент напряжения ("перекос"). Переходные отверстия передают этот перекос на площадку под микроконтроллером. Ток помехи частично протекает через выводы микроконтроллера, подключенные к площадке, что может вызвать сбой.

На рис. 13 справа площадка под микроконтроллером соединена с "чистой" частью в одной точке рядом с общим выводом микроконтроллера. Помехоустойчивость устройства максимальна, так как "чистая" часть на противоположной стороне платы при этом становится разновидностью экрана, защищающего "сверхчистую" площадку под микроконтроллером.

ПЕРЕКРЕСТНЫЕ ПОМЕХИ

Помимо внешних источников наносекундных помех различные узлы внутри устройства сами могут генерировать взаимные помехи.

Современные цифровые микросхемы, особенно БИС, тоже являются источниками НП. В момент переключения сотни и тысячи транзисторов внутри БИС меняют свои состояния, в результате сотни и тысячи паразитных емкостей перезаряжаются (например, емкости затворов в микросхемах КМОП). В результате через выводы общего провода и питания микросхем протекают импульсные токи наносекундной и субнаносекундной длительности и большой амплитуды. Распространяясь по шинам общего провода и питания платы эти токи несколько ухудшают суммарную помехоустойчивость устройства, но сами по себе, как правило, причиной сбоев не являются.

Для уменьшения вредного влияния этих токов в цепи питания рядом с микросхемами ставят керамические развязывающие конденсаторы. Конденсаторы должны устанавливаться как можно ближе к выводам общего провода и питания, чтобы уменьшить размер контура, по которому циркулируют токи перезарядки.

Сказанное является прописной истиной. Тем не менее, достаточно часто приходится слышать такие высказывания: "мое устройство сбивается, я поставил больше конденсаторов в цепи питания, а оно все равно сбивается". Складывается впечатление, что некоторые разработчики считают, будто развязывающие конденсаторы ставятся для защиты от внешних помех. Это, конечно, заблуждение. Вследствие такого заблуждения иногда встречаются платы, где развязывающие конденсаторы стоят вдалеке от микросхем, хотя ничто не мешало поставить их гораздо ближе к выводам питания.

Особого рассмотрения заслуживает микросхема супервизора питания. Как известно, срабатывает она нечасто, так что наносекундных помех практически не создает. Однако она сама подвержена влиянию НП, поэтому вблизи супервизора питания необходимо ставить керамический развязывающий конденсатор. Это редкий случай, когда такой конденсатор и в самом деле является фильтром для внешних помех.

ЛИТЕРАТУРА

  1. Устойчивость к наносекундным импульсным помехам. ГОСТ Р51317.4.4-99.
  2. Устойчивость к электростатическим разрядам. ГОСТ Р 51317.4.2-99.3. Методы проектирования аппаратного обеспечения. http://www.analog.com.ru/Public/10.pdf.
  3. The Keith Armstrong Portfolio. http://www.compliance-club.com/KeithArmstrongPortfolio.htm.
  4. SZZA009: PCB Design Guidelines For Reduced EMI. http://www-s.ti.com/sc/psheets/szza009/szza009.pdf.
  5. SDYA011: Printed Circuit Board Layout for Improved Electromagnetic Compatibility. http://www-s.ti.com/sc/psheets/sdya011/sdya011.pdf.
  6. SCEA018: Comparison of Electromagnetic Interference Potential of Integrated Logic Circuits AVC, GTLP,BTL and LVDS. http://www-s.ti.com/sc/psheets/scea018/scea018.pdf.
  7. SLLA057: A Survey of Common Mode Noise. http://www-s.ti.com/sc/psheets/slla057/slla057.pdf.
  8. ANM085: EMC Improvement Guidelines. http://www.atmel.com/atmel/acrobat/doc3ae68a605a252.pdf.
  9. AVR040: EMC Design Considerations. http://www.atmel.com/atmel/acrobat/doc1619.pdf.
  10. AN1050: Designing for Electromagnetic Compatibility (EMC) with HCMOS Microcontrollers. http://ewww.motorola.com/brdata/PDFDB/docs/AN1050.pdf.
  11. AP2426: EMC Design Guideline for Microcontroller Board Layout. http://www.infineon.com/cmc_upload/0/000/011/171/ap242602_EMC_DesignGuideline.pdf.
© 1999-2016 All Right Reserved. EFO Ltd. При использовании материалов ссылка на источник обязательна.
Контактная информация