ООО ЭФО
Поиск по складу
Программа поставок 2016
Сегодня
www.powel.ru
источники питания
www.korpusa.ru
конструктивы и корпуса РЭА
www.wless.ru
беспроводные технологии
www.mymcu.ru
микроконтроллеры
altera-plis.ru
микросхемы Altera
www.infiber.ru
волоконно-оптические
компоненты в
промышленности
www.efo-power.ru
силовая электроника
www.efo-electro.ru
электротехническая
продукция
www.efometry.ru
контрольно-измерительные приборы
www.golledge.ru
кварцевые резонаторы и генераторы Golledge
www.sound-power.ru
профессиональные усилители класса D
Поиск по сайту
Подписка на новости

Система менеджмента
качества сертифицирована на соответствие требованиям:
ISO 9001, ГОСТ Р ИСО 9001 и СРПП ВТ - подтверждено сертификатами соответствия в системах сертификации Русского Регистра, ГОСТ Р, международной сети IQNet, "Оборонсертифика" и "Военный Регистр".

ООО "ЭФО" в 2011г. получило Лицензию Федеральной службы по экологическому, технологическому и атомному надзору на изготовление оборудования для ядерных установок.


Rambler s Top100



ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
EEN
webmaster
Санкт-Петербург: (812) 327-86-54  zav@efo.ru Москва: (495) 933-07-43  moscow@efo.ru Екатеринбург: (343) 278-71-36  ural@efo.ru Пермь: (342) 220-19-44  perm@efo.ru
Казань: (843) 518-79-20  kazan@efo.ru Ростов-на-Дону: (863) 220-36-79  rostov@efo.ru Н. Новгород: (831) 434-17-84  nnov@efo.ru Новосибирск: (383) 286-84-96  nsib@efo.ru
о нас склад библиотека статьи
 

Новости

18.07.2008
Компания Cypress заявила о намерении дополнить линейку микросхем nvSRAM микросхемами емкостью 2 и 8 Мбит. nvSRAM - быстродействующая асинхронная оперативная память с возможностью хранения данных в специальной энергонезавимой области микросхемы. Перезапись из оперативной области памяти в энергонезависимую и наоборот происходит автоматически при выключении/выключении питания или по команде внешнего устройства.

Микросхемы nvSRAM Подробнее

10.11.2006
На склад "ЭФО" поступили микросхемы асинхронной статической памяти
IDT71V124SA12TY (3.3В, 128K x 8, корпус 300MIL SOJ, коммерческое исполнение),
IDT71256SA15YGI (5В, 32K x 8, корпус 300MIL SOJ, индустриальное исполнение, Green),
IDT71V256SA15Y (3.3В, 32K x 8, корпус 300MIL SOJ, коммерческое исполнение),
IDT71V416L10PH, IDT71V416S10PH (3.3В, 256K x 16, корпус TSOP, коммерческое исполнение),
IDT71024S12TYI (5В, 128K x 8, корпус 300MIL SOJ, индустриальное исполнение),
IDT71256SA12TP (5В, 32K x 8, корпус 300MIL DIP, коммерческое исполнение),
IDT71256SA15PZI (5В, 32K x 8, корпус TSOP, индустриальное исполнение),
IDT71V016SA12PHGI (3.3В, 64K x 16, корпус TSOP, индустриальное исполнение, Green),
IDT71V016SA15PHI ((3.3В, 64K x 16, корпус TSOP, индустриальное исполнение),
IDT71V416YS15PHI (3.3В, 256K x 16, корпус TSOP, индустриальное исполнение),
IDT71V424S12PHI (3.3В, 512K x 8, корпус TSOP, индустриальное исполнение),
IDT71V424S15YI (3.3В, 512K x 8, корпус 400MIL SOJ, индустриальное исполнение).

11.10.2006
Корпорация Cypress объявила о выпуске нового семейства MoBL ADM Dual Ports. Основными областями применения новых микросхем являются 3G и 3.5G мобильные устройства связи, поддерживающие передачу мультимедийных сообщений (видео, звук, компьютерные игры, интернет-доступ). Анонсированные кристаллы оснащены мультиплексированным ADM-интерфейсом, значительно упрощающим процедуру обмена данными между мультимедийным приложением и сигнальным процессором. Новинки представлены гаммой микросхем с информационной емкостью 64/128/256Kбит и разрядностью x16 бит. При времени доступа 65нс MoBL ADM Dual Ports обеспечивают максимальную пропускную способность шины данных до 246Мбит/c. Новые микросхемы выпускаются в супермалогабаритных (6 мм х 6 мм) корпусах 100-vfBGA.

12.05.2006
Корпорация IDT объявила о выпуске новых 72-разрядных двухпортовых ОЗУ с информационной емкостью 18Мбит (IDT70T3719MG) и 9Мбит (IDT70T3799MG). Микросхемы работают на тактовых частотах до 166МГц при напряжении питания 1.8В, выпускаются в компактных BGA корпусах (324-ball) и в соответствии с требованиями директив RoHS имеют бессвинцовое исполнение. Архитектура новых изделий дополнена встроенной функцией перехода обоих интерфейсов в спящий режим. Основной областью применения анонсированных микросхем являются современные системы цифровой обработки данных и сигналов.

10.05.2006
Корпорация Cypress сообщает о выпуске новых двухпортовых ОЗУ в семействе FullFlex , выполненных по 90нм технологии, работающих на тактовых частотах до 250Мгц и обеспечивающих пропускную способность шины данных до 36Гбит/c. Новинки представлены широким спектром микросхем с информационной емкостью 4/9/18/36Мбит и разрядностью x18/x36/x72 бита. Архитектура анонсированных кристаллов поддерживает возможность выбора напряжения питания ядра (1.8В/1.5В) и конфигурации напряжений линий ввода/вывода (3.3В LVTTL, 1.4-1.9В HSTL, 1.8-2.5B LVCMOS). Новые микросхемы FullFlex выпускаются в корпусах 484-PBGA (x72)/256-PBGA (x36, x18), доступны в коммерческом и в индустриальном исполнении. Основными областями применения новых устройств являются беспроводные сети передачи данных, системы цифровой обработки изображений, промышленная электроника.

02.05.2006
Корпорация IDT анонсировала выпуск новых многопортовых ОЗУ с рабочей тактовой частотой до 250МГц и информационной емкостью до 18Мбит. Структура микросхем содержит буфер памяти с двумя независимыми синхронными высокоскоростными интерфейсами х36 QDR-II (IDT70P3537, IDT70P3517) или х18 LA-1 QDR-II (IDT70P3307, IDT70P3337). Работая на частотах до 250МГц в режиме QDR, запоминающие устройства такого типа позволяют развить высокую пропускную способность шины, в пределе составляющую 36Гбит/c. Новые устройства работают при напряжении питания 1,8В, выпускаются в компактном BGA корпусе (576-ball) и предназначены для применения в составе беспроводных систем связи, вычислительных сетей, высокопроизводительных параллельных систем обработки сигналов и изображений, других многопроцессорных приложений.

© 1999-2016 All Right Reserved. EFO Ltd. При использовании материалов ссылка на источник обязательна.
Контактная информация