ООО ЭФО
Поиск по складу
Программа поставок 2016
Сегодня
www.powel.ru
источники питания
www.korpusa.ru
конструктивы и корпуса РЭА
www.wless.ru
беспроводные технологии
www.mymcu.ru
микроконтроллеры
altera-plis.ru
микросхемы Altera
www.infiber.ru
волоконно-оптические
компоненты в
промышленности
www.efo-power.ru
силовая электроника
www.efo-electro.ru
электротехническая
продукция
www.efometry.ru
контрольно-измерительные приборы
www.golledge.ru
кварцевые резонаторы и генераторы Golledge
www.sound-power.ru
профессиональные усилители класса D
Поиск по сайту
Подписка на новости

Система менеджмента
качества сертифицирована на соответствие требованиям:
ISO 9001, ГОСТ Р ИСО 9001 и СРПП ВТ - подтверждено сертификатами соответствия в системах сертификации Русского Регистра, ГОСТ Р, международной сети IQNet, "Оборонсертифика" и "Военный Регистр".

ООО "ЭФО" в 2011г. получило Лицензию Федеральной службы по экологическому, технологическому и атомному надзору на изготовление оборудования для ядерных установок.


Rambler s Top100



ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
EEN
webmaster
Санкт-Петербург: (812) 327-86-54  zav@efo.ru Москва: (495) 933-07-43  moscow@efo.ru Екатеринбург: (343) 278-71-36  ural@efo.ru Пермь: (342) 220-19-44  perm@efo.ru
Казань: (843) 518-79-20  kazan@efo.ru Ростов-на-Дону: (863) 220-36-79  rostov@efo.ru Н. Новгород: (831) 434-17-84  nnov@efo.ru Новосибирск: (383) 286-84-96  nsib@efo.ru
о нас склад библиотека статьи
 

Новинки

nvSRAM - быстродействие SRAM + энергонезависимое хранение данных



Микросхемы памяти nvSRAM компании Cypress объединяют в себе быстродействующую асинхронную оперативную и энергонезависимую память. Для хранения данных не требуется дополнительного питания. Производитель гарантирует срок хранения в энергонезависимой области nvSRAM, как минимум, 20 лет.

Интерфейс микросхем nvSRAM отличается от стандартной памяти SRAM наличием дополнительных управляющих выводов, которые используются для управления режимом записи и считывания из/в область энергонезависимой памяти. Процесс записи/считывания из области энергонезависимой памяти может осуществляться:

  • Автоматически под управлением блока Power Control
  • Аппаратно - подачей управляющих сигналов на специальные выводы
  • Программно - подачей последовательности команд

В микросхемах с индексом "К" реализован дополнительный блок RTC (Real Time Clock). Он реализует следующие возможности:

  • Часы реального времени (часы, минуты, секунды, день, месяц, год)
  • Установка таймера на срабатывание в определенное время (меняется состояние внутреннего регистра и/или внешнего вывода "INT")
  • Сторожевой таймер (меняется состояние внутреннего регистра и/или внешнего вывода "INT")

Микросхема

Организация

Емкость

Питание

CY14B101K

128 Кб x8

1 Мб

3 В

CY14B101L

128 Кб x8

1 Мб

3 В

CY14B256K

32 Kб x8

256 Кб

3 В

CY14B256L

32 Kб x8

256 Кб

3 В

CY14E256L

32 Kб x8

256 Кб

5 В

CY14B104L

512 Кб x8

4 Мб

3 В

CY14B104N

256 Kб x16

4 Мб

3 В

CY14E064L

8 Кб x8

64 Кб

5 В

Дополнительная документация:

Описание технологии nvSRAM
Soft Errors in nvSRAM - оособенности архитектуры памяти nvSRAM , позволяющие уменьшить количество случайных ошибок


Быстродействующие микросхемы памяти для ATM и Ethernet маршрутизаторов





Класс ИС Синхронные двухпортовые ОЗУ Синхронные FIFO
Наименование IDT70T3509M IDT72T36135M
Информационная емкость, Мбит 36 18
Рабочая тактовая частота, МГц до 133 до 200
Максимальная скорость передачи данных, Гбит/c 9,5 7,2
Напряжение питания ядра, В 2,5 2,5
Дополнительные функции спящий режим (standby mode) выбор конфигурации напряжений линий ввода/вывода - 1.8В HSTL, 2.5B HSTL, 2.5В LVTTL
Корпус 256BGA 240PBGA


Сверхмалопотребляющие микросхемы памяти для портативных мобильных устройств связи



 


Класс ИС Асинхронные двухпортовые ОЗУ Асинхронные трехпортовые ОЗУ
Наименование IDT70P35, IDT70P34, IDT70P25, IDT70P24 IDT70P525M, IDT70P5258M
Информационная емкость, Kбит 144, 72, 128 и 64 128
Время доступа, нс 20-25 55
Максимальная скорость передачи данных, Мбит/c 800 290
Напряжение питания ядра, В 1.8 1.8
Ток потребления в рабочем режиме, мА 15 2
Ток потребления в режиме standby, мкА 30 4
Корпус 100FPBGA, 100TQFP 144FPBGA


Высокоскоростные микросхемы памяти для беспроводных сетей передачи видеоданных





Класс ИС Быстродействующие синхронные двухпортовые ОЗУ
Семейство FullFlex(TM)
Информационная емкость, Mбит 4, 9, 18, 36
Рабочая тактовая частота, МГц до 250
Максимальная скорость передачи данных, Гбит/c 36
Напряжение питания ядра, В 1.5 или 1.8
Выбор конфигурации напряжений линий ввода/вывода 3.3В LVTTL, 1.4-1.9В HSTL, 1.8-2.5B LVCMOS
Корпус 484PBGA, 256FBGA
© 1999-2016 All Right Reserved. EFO Ltd. При использовании материалов ссылка на источник обязательна.
Контактная информация