ООО ЭФО
Поиск по складу
Программа поставок 2016
Сегодня
www.powel.ru
источники питания
www.korpusa.ru
конструктивы и корпуса РЭА
www.wless.ru
беспроводные технологии
www.mymcu.ru
микроконтроллеры
altera-plis.ru
микросхемы Altera
www.infiber.ru
волоконно-оптические
компоненты в
промышленности
www.efo-power.ru
силовая электроника
www.efo-electro.ru
электротехническая
продукция
www.efometry.ru
контрольно-измерительные приборы
www.golledge.ru
кварцевые резонаторы и генераторы Golledge
www.sound-power.ru
профессиональные усилители класса D
Поиск по сайту
Подписка на новости

Система менеджмента
качества сертифицирована на соответствие требованиям:
ISO 9001, ГОСТ Р ИСО 9001 и СРПП ВТ - подтверждено сертификатами соответствия в системах сертификации Русского Регистра, ГОСТ Р, международной сети IQNet, "Оборонсертифика" и "Военный Регистр".

ООО "ЭФО" в 2011г. получило Лицензию Федеральной службы по экологическому, технологическому и атомному надзору на изготовление оборудования для ядерных установок.


Rambler s Top100



ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
EEN
webmaster
Санкт-Петербург: (812) 327-86-54  zav@efo.ru Москва: (495) 933-07-43  moscow@efo.ru Екатеринбург: (343) 278-71-36  ural@efo.ru Пермь: (342) 220-19-44  perm@efo.ru
Казань: (843) 518-79-20  kazan@efo.ru Ростов-на-Дону: (863) 220-36-79  rostov@efo.ru Н. Новгород: (831) 434-17-84  nnov@efo.ru Новосибирск: (383) 286-84-96  nsib@efo.ru
о нас склад библиотека статьи
 
 
Продукция

ИСТОЧНИКИ ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ

ИОН последовательного включения

Базовое
наименование
микросхемы
Тип
преобразователя
Мин. входное напряжение, В Макс. входное напряжение, В Мин. выходное напряжение, В Макс. выходное напряжение, В Мин. падение напряжения (тип.), В Макс. выходной
ток, мА
Ток потребления покоя (тип.), мА Точность выходного напряжения, % ТКН (макс.), ppm/C Значение шума на выходе
(rms), мкВ
LM4132 Последовательный
ИОН
2,2 5,5 2,048 4,096 0,175 20 0,06 0,05 10 170
LM4128 Последовательный
ИОН
2,2 5,5 1,025 4,096 0,4 20 0,06 0,1 75 170
LM4120 Последовательный
ИОН
3,3 14 1,8 4,096 0,18 5 0,16 0,2 50 20
LM4121 Последовательный
ИОН
3,3 14 1,25 - 0,25 5 0,16 0,2 50 30
LM4125 Последовательный
ИОН
3,3 6 2,048 2,5 0,18 5 0,16 0,2 50 20
LM4140 Последовательный
ИОН
1,8 5,5 1,024 4,096 0,16 8 0,23 0,1 6 2,2

ИОН параллельного включения

Базовое
наименование
микросхемы
Тип
преобразователя
Точность выходного напряжения, % Мин. входное напряжение, В Макс. входное напряжение, В ТКН (макс.), ppm/C Макс. выходной
ток, мА
Ток потребления покоя (тип.), мА
LM431 Параллельный
ИОН
1 - - 54 100 1
LM336-5.0 Параллельный
ИОН
4 5 5 34 10 0,6
LM385-1.2 Параллельный
ИОН
2 1,235 1,235 150 20 0,01
LM385-ADJ Параллельный
ИОН
2 - - 150 20 0,01
LM385-2.5 Параллельный
ИОН
3 2,5 2,5 - 20 0,02
LMV431 Параллельный
ИОН
1,5 - - 129 - 0,055
LMV431A Параллельный
ИОН
1 1,2 1,2 129 - 0,055
LMV431B Параллельный
ИОН
0,5 - - 129 - 0,055
LM4041 Параллельный
ИОН
0,1 1,225 - 100 12 0,06
LM4040 Параллельный
ИОН
0,1 2,5 10 100 15 0,06
LM4050 Параллельный
ИОН
0,1 2,5 10 50 15 0,06
LM4051 Параллельный
ИОН
0,1 1,225 - 50 12 0,06
LM4431 Параллельный
ИОН
2 2,5 2,5 - 15 0,1
LM4030 Параллельный
ИОН
0,05 2,5 4,096 10 50 0,12
LM336-2.5 Параллельный
ИОН
4 2,5 2,5 34 10 0,4


© 1999-2016 All Right Reserved. EFO Ltd. При использовании материалов ссылка на источник обязательна.
Контактная информация