ООО ЭФО
Поиск по складу
Программа поставок 2016
Сегодня
www.powel.ru
источники питания
www.korpusa.ru
конструктивы и корпуса РЭА
www.wless.ru
беспроводные технологии
www.mymcu.ru
микроконтроллеры
altera-plis.ru
микросхемы Altera
www.infiber.ru
волоконно-оптические
компоненты в
промышленности
www.efo-power.ru
силовая электроника
www.efo-electro.ru
электротехническая
продукция
www.efometry.ru
контрольно-измерительные приборы
www.golledge.ru
кварцевые резонаторы и генераторы Golledge
www.sound-power.ru
профессиональные усилители класса D
Поиск по сайту
Подписка на новости

Система менеджмента
качества сертифицирована на соответствие требованиям:
ISO 9001, ГОСТ Р ИСО 9001 и СРПП ВТ - подтверждено сертификатами соответствия в системах сертификации Русского Регистра, ГОСТ Р, международной сети IQNet, "Оборонсертифика" и "Военный Регистр".

ООО "ЭФО" в 2011г. получило Лицензию Федеральной службы по экологическому, технологическому и атомному надзору на изготовление оборудования для ядерных установок.


Rambler s Top100



ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
EEN
webmaster
Санкт-Петербург: (812) 327-86-54  zav@efo.ru Москва: (495) 933-07-43  moscow@efo.ru Екатеринбург: (343) 278-71-36  ural@efo.ru Пермь: (342) 220-19-44  perm@efo.ru
Казань: (843) 518-79-20  kazan@efo.ru Ростов-на-Дону: (863) 220-36-79  rostov@efo.ru Н. Новгород: (831) 434-17-84  nnov@efo.ru Новосибирск: (383) 286-84-96  nsib@efo.ru
о нас склад библиотека статьи
 
Mitsubishi

О компании | Статьи

Mitsubishi Electric специализируется на производстве Si, GaAs, GaN транзисторов и усилителей.

Фирма предлагает широкую линейку мощных кремниевых усилителей от 10МГц до 1,3ГГц, до 100Вт с высоким КПД (PAE до 62%).

Усилители на основе GaAs работают в диапазоне частот от 1 до 15 ГГц и выдают мощность до 20Вт. Особого внимания заслуживают мощные усилители до 100Вт, 4..15ГГц с PAE до 60% выполненные по новой технологии GaN и предназначенные для радарных и VSAT применений. Примечательны малошумящие усилители с КШ = 0,35дБ@12ГГц КШ =0,7дБ@20ГГц.

Mitsubishi обладает линейкой радиационно-стойких усилителей GaAs & GaN для космических применений, как мало-шумящих, так и мощных.

Экспериментальный образец усилителя (статья "GaN HEMT Amplifier for C-band Space Applications" Authors: Takashi Yamasaki*, Hiroaki Minamide* andAtsushi Hasuike*) имеет стойкость 12MegaRad TID и выдает мощность 100W на частоте 4ГГц при PAE = 60%.

Сайт Mitsubishi Electric

вернуться

Для получения дополнительной информации о технических особенностях, ценах и условиях поставки ВЧ/СВЧ компонентов просим Вас обращаться к нашим специалистам:

Горбатов Константин Владимирович, инженер-консультант, kvg@efo.ru

© 1999-2016 All Right Reserved. EFO Ltd. При использовании материалов ссылка на источник обязательна.
Контактная информация