08.09.2010
Новое семейство MOSFET производства Infineon с рекордно низким значением сопротивления канала во включенном состоянии - серия OptiMOS™-T2 40В

Современные автомобильные приложения требуют новых уровней мощности, экологической безопасности и к.п.д. двигателя. В то же время экологические нормативы ограничивают электромагнитные потери, особенно при электронном управлении системами автомобиля с использованием широтно-импульсной модуляции.

Для решения этих задач и предназначено новое поколение автомобильных MOSFET транзисторов, высококачественных, надежных, с высокой теплоотдачей. Новое семейство транзисторов OptiMOS™-T2 на 40В изготавливаются в бессвинцовых, прочных корпусах, с лучшим в своем классе сопротивлением во включенном состоянии RDS(on) и самым большим диапазоном токов для автомобильных двигателей и систем.

Основные характеристики OptiMOS™-T2 40В

• Самое низкое сопротивление во включенном состоянии (RDS(on)) при 40В (0,98 мОм при 10В управляющего напряжения на затворе)
• Самая высокая допустимая нагрузка по току
• Самые низкие потери при переключении и статические потери при отличной теплоотдаче
• Высококачественные, надежные и прочные корпуса
• Соответствуют требованиям AEC (Automotive Electronics Council), как компоненты для автомобильного применения
• Максимальная рабочая температура + 175°C
• Максимальный ток стока I(d) до 180А (100А) в корпусе D2-PAK (DPAK)
• Оптимизированный полный заряд затвора для минимальной требуемой мощности драйвера

03.09.2010
Компания Infineon представляет силовые MOSFET транзисторы на 30В с предельно допустимым током 180А и минимальным сопротивлением во включенном состоянии (меньше 1мОм) для автомобильных применений

Компания Infineon анонсировала силовые MOSFET транзисторы на 30В с самым низким в мире сопротивлением во включенном состоянии для автомобильных применений. Новый OptiMOS™-T2 на 30В - N-канальный транзистор с током стока 180А имеет R DS(on) 0,9мОм при напряжении затвор-исток 10В. Транзистор IPB180N03S4L-H0 в корпусе D2PAK-7 рассчитан на потребителя, которому необходимы силовые MOSFET транзисторы в стандартном корпусе, обладающими как высокими номинальными токами, так и низким сопротивлением во включенном состоянии по доступной цене

Новый транзистор изготовлен по trench технологии компании Infineon для силовых MOSFET транзисторов OptiMOS-T2 - идеален для применения в автомобильных сильноточных приводах, электроусилителях руля (EPS) и особенно для старт/стоп режима.

По сравнению с предыдущими, trench-технология второго поколения силовых MOSFET транзисторов, OptiMOS-T2, позволяет уменьшить как сопротивление RDS(on), так и заряд затвора. В результате стало возможным получить минимальный коэффициент качества (Figure of Merit, FoM), который является произведением значений сопротивления RDS(on) и заряда затвора. Помимо этого, при сборке транзисторов в корпус применена улучшенная технология проволочных соединений для больших токов 'Powerbond', направленная на уменьшение 'вклада', вносимого сопротивлением проволочного соединения в RDS(on) MOSFET транзистора и увеличение допустимой нагрузки по току. Это также позволяет повысить надежность за счет того, что проводники меньше нагреваются. Современная технология Powerbond позволяет разместить до 4 пар проводников толщиной 500чм в одном MOSFET транзисторе, таким образом, можно использовать стандартный корпус при номинальном токе 180А

Технология OptiMOS-T2 и корпус рассчитаны на то, чтобы выдерживать температуру 260°C во время пайки оплавлением для уровня MSL1 (Moisture Level 1), при этом покрытие не содержит свинца, что соответствует RoHS. Силовой MOSFET транзистор IPB180N03S4L-H0 полностью отвечает требованиям Automotive Electronics Council (AEC-Q101).

IPB180N03S4L-H0 предназначен для применений с высокими токами (более 500А), где требуется использование большого количества параллельно соединенных MOSFET транзисторов. Так как IPB180N03S4L-H0 рассчитан на работу с номинальным током 180А, это позволяет в ряде приложений исключить параллельное соединение транзисторов.

Доступность

Транзистор IPB180N03S4L-H0 на 30В с током стока 180А и сопротивлением RDS(on) 0,9мОм запущен в массовое производство. Также компания Infineon предлагает модификацию на 30В и током стока 180А (IPB180N03S4L-01) с сопротивлением RDS(on) 1,05мОм при напряжении затвор-исток 10В для критичных по цене приложений. Оба транзистора доступны в стандартном корпусе D 2PAK-7

Подробнее

24.08.2010
E93 - кто сказал что он должен выглядеть как стандартный защитный конденсатор ?

Компания Electronicon выпустила первые защитные (шунтирующие) пленочные конденсаторы диапазона средних напряжений (по IEC-60781) с механизмом самовосстановления

Расширяя линейку сухих конденсаторов, компания ELECTRONICON выпустила новую серию защитных конденсаторов -E93 - для защиты трансформаторов, электрических машин и других компонентов систем от импульсных перегрузок в диапазоне средних напряжений по IEC-60781 (~1-36кВ). Такие конденсаторы необходимы для снижения скорости нарастания фронта импульса при перенапряжениях и защиты межвитковой изоляции. Обычно используемые совместно с разрядниками, конденсаторы, защищающие от перенапряжений - одни из наиболее важных защитных элементов, повышающих долговечность электрических машин.

Конденсаторы серии E93 изготовлены с использованием металлизированной полипропиленовой пленки и заполнены полиуретаном, за счет чего они стали первыми сухими конденсаторами подобного назначения. Специальное пластиковое покрытие выделяет эти цилиндрические конденсаторы среди стандартных громоздких пленочных заполненных маслом конденсаторов. За счет простых для подсоединения контактов их удобно использовать в приложениях. В качестве примера, конденсатор 0,25мкФ/12кВ серии E93, весящий 4,1кг, по характеристикам сравним с аналогичными огромными масляными конденсаторами весом 15 кг.

Подробнее в даташите

30.07.2010
Компания Infineon расширяет номенклатуру IGBT модулей семейства PrimePACK модулями на более высокие рабочие токи.

Выпущен лучший на сегодняшний день в данном классе модуль в корпусе PrimePACK3 с рабочим током 1400А (рабочее напряжение 1700В). В модуле используются IGBT кристаллы, изготовленные по технологии IGBT4 с увеличенной максимальной рабочей температурой перехода +150 C. Топология модуля - полумост с встроенным NTC терморезистором. Основные области применения силового модуля: 3-х уровневые инверторы, вспомогательные преобразователи, силовые приводы, ветроэнергетика.

Начало серийного производства 1 кв. 2011. Принимаются заявки на образцы.

Подробнее

21.07.2010
Компания Ferraz Shawmut в июне 2010 года объявила об изменении своего имени. Теперь она называется Mersen.

Под новым именем объединились международный концерн Carbone Lorraine, собственно компания Ferraz Shawmut и небольшая французская фирма Lenoir Elec.

Carbone Lorraine - мировой производитель электротехнических изделий из графита для работы в сложных условиях. Сферы применения: железнодорожный транспорт, возобновляемые источники энергии (ветряные станции, гидроэлектростанции), обычные источники энергии, отрасли переработки (металлургия, бумажная промышленность, производство цемента, химическая промышленность), транспортные системы (авиационная промышленность, микродвигатели, погрузчики, лифты, портовое и судовое оборудование).

Ferraz Shawmut поставляет промышленные плавкие предохранители на низкие и средние напряжения, системы охлаждения, силовые контакторы, коммутаторы и разъединители для силовой электроники.

С момента объединения в 1999 году двух компаний - FERRAZ (Франция) и GOULD SHAWMUT (США), поиски оптимальных технологических решений привели к следующим результатам:

• В Северной Америке заводы в Ньюберипорт (США), Торонто (Канада) и Хуаресе (Мексика) ориентированы на производство плавких предохранителей и держателей по американским стандартам (UL и CSA)
• В Европе и на Средиземноморье, заводы в Сан-Боне дё Мюр (Франция) и Эл Фас (Тунис) производят плавкие предохранители и держатели по европейским и другим международным стандартам, а заводы в Прованс и Ламюр (Франция) занимаются изготовлением разъединителей и охладителей.
• В Азии работают заводы в Бангалоре (Индия), Шанхае (КНР) и Нагахаме (Япония), которые обслуживают большую часть рынка этого региона. Выпускаемая продукция также соответствует международным стандартам качества, безопасности и экологическим нормам и требованиям.

В состав Ferraz Shawmut также входит компания Lenoir Elec, занимающаяся производством контакторов большой мощности и изоляторов.

21.07.2010
Компания Infineon расширяет производство кристаллов IGBT4 на 1700В в Малайзии.

Производство модулей остается исключительно в Европе (Германия и Венгрия).

Подробнее

16.07.2010
Компания Infineon опубликовала новый Selector Guide на дискретные IGBT.

16.07.2010
Обновлена параметрическая таблица по дискретным IGBT транзисторам.

15.07.2010
Компания Mersen (ранее Ferraz Shawmut) объявляет об изменении в обозначении предохранителей серий TR и TRS.

Изменились обозначения предохранителей серий TR и TRS класса RK5 UL внесенных в список мощных предохранителей для защиты двигателей.

Во избежание путаницы, пожалуйста, пользуйтесь таблицей, которая включает в себя все изменения каталожных номерах: в конце каталожного номера теперь добавляется ID в качестве InDicator.

Подробнее

14.07.2010
Компания Infineon расширяет линейку высоковольтных силовых транзисторов CoolMOS™ серией C6/E6 на 650В для обеспечения высокой эффективности и простого управления в коммутационных приложениях.

Компания Infineon Technologies выпустила новую серию силовых MOSFET транзисторов CoolMOS™ C6/E6 на 650В, сочетающих в себе преимущества современных транзисторов с суперпереходом (Super Junction), таких как, низкое сопротивление канала во включенном состоянии и малые потери при переключении, с простым управлением характеристиками переключения, при этом встроенный обратный диод обладает повышенной стойкостью к перегрузкам. Основанные на одной и той же технологии, транзисторы C6 оптимизировались с точки зрения простоты использования, тогда как транзисторы E6 разрабатывались для обеспечения максимальной эффективности.

CoolMOS™ C6/E6 - это шестое поколение силовых высоковольтных MOSFET транзисторов с суперпереходом от компании Infineon. Новые транзисторы CoolMOS™ C6/E6 на 650В обладают быстродействующими управляемыми характеристиками переключения и дают возможность создавать приложения, в которых эффективность и плотность мощности имеют большое значение. Транзисторы серии CoolMOS™ C6/E6 - лучший выбор для различных коммутационных приложений с низким энергопотреблением, таких как, адаптеры для ноутбуков, солнечные и другие импульсные источники питания, где требуются дополнительные запасы по пробивному напряжению.

По сравнению с семейством CoolMOS™ C3 на 650В, новые транзисторы CoolMOS™ C6/E6 на то же напряжение обеспечивают на 20% меньшее накопление энергии в выходной емкости (Eoss), при этом улучшенный встроенный диод этих транзисторов обладает большей стойкостью к перегрузкам при жестких коммутациях и уменьшенным на 25% зарядом обратного восстановления. Режимы переключения транзисторов C6/E6 обеспечивают оптимальные скорости нарастания тока и напряжения, благодаря сбалансированной структуре с настраиваемыми резисторами затвора.

Доступность

Образцы IPA65R280C6 / IPA65R280E6 (280мОм в корпусе TO220 FullPAK) и IPA65R380C6 / IPA65R380E6 (380 мОм в корпусе TO220 FullPAK) доступны уже сейчас. Серийное производство этих транзисторов начнется в июле 2010 года. Линейка будет постепенно расширяться, ожидаемый срок окончания комплектации - конец 2010 года.

Дополнительная информация:

www.infineon.com/power
www.infineon.com/c6e6

09.07.2010
Копания Infineon объявила о прекращении производства IGBT модулей: FF100R12MT4, FF150R12MT4, FF200R06ME3, FF300R06ME3, FF400R06ME3.
В качестве замены предлагаются модули на более высокие рабочие токи.
Значения токов новых модулей увеличены на 50 - 200А в зависимости от типа.
Последний срок заказа 31.12.2010

Подробнее

06.07.2010
Компания Infineon расширяет пределы по частоте и эффективности с 3 поколением IGBT транзисторов High Speed.

Компания Infineon Technologies представляет семейство IGBT модулей High Speed 3 (3е поколение), предназначенных для работы в приложениях с большой частой и жестким режимом переключениями. У транзисторов этого семейства минимальные потери при переключении, лучшая в своем классе эффективность, при этом они рассчитаны на работу при частоте до 100кГц.

За последние несколько лет требования приложений к дискретным IGBT, заставили разработчиков улучшать характеристики транзисторов, чтобы добиться максимальной производительности системы. Новое семейство High Speed 3 на 600 и 1200В дает возможность разработчикам высокочастотных устройств, таких как электросварочные машины, инверторы для фотоэлектрических систем, импульсные и бесперебойные источники питания, добиться лучшей производительности системы.

Новое семейство IGBT модулей High Speed 3 оптимизировано для приложений с частотой переключений до 100кГц. Полные потери при выключении снижены на 35% по сравнению с предыдущими версиями. Такое существенное сокращение было достигнуто за счет уменьшения 'хвоста' тока при выключении на 75% , что уже приближается к параметрам MOSFET транзистора.

Так как значение V ce(sat) (напряжение насыщения во включенном состоянии) также оказывает значительное влияние на полные потери, то необходимо достичь баланса между потерями при переключении и потерями за счёт проводимости. У транзисторов семейства High Speed 3 не только очень низкие потери при переключении, но также низкие потери продимости, благодаря технологии Trenchstop™, со свойственным ей малым значением V ce(sat).

Характеристики встроенного обратного диода оптимизированы: размер выбран с учетом работы с высокой частотой переключения, при этом обеспечивается мягкая характеристика переключения, что снижает излучаемые электромагнитные помехи.

Доступность

Транзисторы нового семейства High Speed 3, соответствующие требованиям RoHS, доступны на токи 20 - 50А при 600В и 15 - 40А при 1200В.

Дополнительная информация

Дополнительная информация по IGBT транзисторам доступна на сайте: www.infineon.com/igbt

02.07.2010
В связи с заменой снимаются с производства следующие IGBT модули 12 и 17 классов в корпусе 62 мм:

BSM100GB170DL, BSM150GB170DL, BSM200GB170DL, BSM300GA170DL, BSM400GA170DL, BSM100GB120DN2F, BSM150GB120DN2F, BSM200GA120DN2F, BSM400GA120DN2F, BSM200GA120DN2FS, BSM300GA120DN2FS, BSM400GA120DN2FS, BSM300GA170DLS, BSM400GA170DLS, BSM200GA120DN2C, BSM400GA120DN2C, BSM200GA120DN2S, BSM300GA120DN2S, BSM400GA120DN2S, BSM200GA170DN2S, BSM300GA170DN2S.

Последний срок размещения заказа 01.01 2011

Подробнее

02.07.2010
Новые IGBT модули Infineon серии PrimePACK™ 3 и EconoDUAL™ 3 с повышенной плотностью мощности.

Компания Infineon Technologies выпустила новые высоконадежные IGBT модули с повышенной плотностью мощности: модуль PrimePACK™ с номинальным током коллектора 1400A и напряжением 1700В в корпусе PrimePACK 3, а так же новый представитель семейства EconoDUAL™, модуль EconoDUAL 3 с током 600A и при 1200В.

Новый модуль FF1400R17IP4 с номинальным током коллектора 1400A и напряжением 1700В в корпусе PrimePACK 3 существенно расширил линейку модулей PrimePACK. Области применения: возобновляемые источники энергии, транспорт, CAV (коммерческий, сельскохозяйственный и строительный транспорт) и силовые промышленные приводы. Новый IGBT модуль отвечает стремительно растущим требованиям рынка в отношении большой мощности, компактных размеров и высокой надежности. Размеры PrimePACK 3: 89мм*250мм. Новый модуль, как и все семейство, отличают оптимизированная топология кристалла и продуманный дизайн модуля. Инновационная концепция корпусирования позволила улучшить распределение и рассеивание тепла, уменьшить тепловое сопротивление между базовой платой и теплоотводом, а так же свести к минимуму внутреннюю паразитную индуктивность.

Новый модуль FF600R12ME4 в корпусе EconoDUAL 3 на сегодняшний день - самый эффективный в популярном семействе EconoDUAL, с номинальным током коллектора 600A и напряжением 1200В. Области применения: частотные преобразователи в автоматических системах приводов, центральные инверторы в системах солнечной энергетики, дизель-генераторные приводы двигателей (CAV). За счет оптимизации конструкции с точки зрения технологии коммутации и теплового сопротивления, стало возможным применять модули при больших токах, что повышает их эффективность. При использовании модуля FF600R12ME4 увеличивается диапазон мощности на 30% при тех же размерах корпуса. В дополнение к стандартной версии с выводами под пайку, в семействе EconoDUAL 3 появилась версия с выводами под запрессовку типа PressFIT.

Доступность

Образцы IGBT модуля FF1400R17IP4 семейства PrimePACK 3 будут доступны в 3 квартале 2010 года. Производство начнется в 4 квартале 2010 года.

Образцы модуля FF600R12ME4 в корпусе EconoDUAL 3 так же будут доступны в 3 квартале 2010 года. Производство начнется в сентябре 2010 года.

Дополнительная информация

Дополнительная информация о модуле PrimePACK 3 и семействе продуктов PrimePACK: www.infineon.com/primepack.

Дополнительная информация о модуле EconoDUAL3 и семействе продуктов EconoDUAL: www.infineon.com/dual3.

29.06.2010
Обновлен раздел "Дискретные IGBT": добавлена информация по дискретным транзисторам и транзисторам с антипараллельным диодом семейства HighSpeed3 на 600В.

29.06.2010
Компания Infineon объявила о прекращении выпуска ряда дисковых тиристоров и диодов в эпоксидных (черных) корпусах. Для некоторых из них предусмотрена замена в керамическом (белом) корпусе.

Подробнее:

• Тиристоры и диоды d=41мм
• Тиристоры и диоды d=50мм
• Тиристоры и диоды d=60мм

07.06.2010
Новая технология .XT компании Infineon значительно увеличивает срок службы IGBT модулей и дает перспективу повысить максимальную температуру p-n перехода до 200°C

Компания Infineon Technologies представила улучшенную технологию корпусирования кристалла и внутренней разводки IGBT модулей, которая значительно повышает их срок службы. Новая технология .XT оптимизирует все внутренние взаимосвязи в IGBT модуле, влияющие на срок службы. С помощью новой технологии компания Infineon смогла выполнить требования новых приложений в отношении устойчивости к циклическим нагрузкам большой мощности, а так же повысить плотность мощности и максимальную рабочую температуру p-n перехода.

Новая технология .XT увеличивает срок службы IGBT модулей в 10 раз по сравнению с существующими технологиями. С другой стороны при том же сроке службы выходная мощность модуля может быть повышена на 25%. Новая технология поддерживает максимальную температуру p-n перехода полупроводникового кристалла до 200°C.

Известно, что циклические нагрузки приводят к изменениям температуры и механическим воздействиям на внутреннюю разводку IGBT модуля. Разные коэффициенты температурного расширения разных проводящих слоев вызывают механические напряжения, что может привести к усталости материала и его износу. Новая технология .XT охватывает три критические области, ответственные за устойчивость IGBT модуля к циклическим нагрузкам: проволочный монтаж на лицевой стороне кристалла, пайку обратной стороны кристалла к DCB (Direct Copper Bond) промежуточной подложке и пайку DCB подложки к основанию модуля.

• Лицевая сторона кристалла. Медный слой на лицевой стороне кристалла позволяет использовать медные проводники, обладающие лучшими характеристиками в отношении устойчивости к циклическим нагрузкам, по сравнению с алюминиевыми проводниками.
• Обратная сторона кристалла. Новый способ диффузионной пайки повышает теплопроводность и стабильность соединения (кристалла и DCB подложки) даже при скачках температуры во время работы.
• DCB подложка и базовая плата. Базовая плата играет ключевую роль в терморегулировании во многих приложениях. Высоконадежный метод пайки снижает износ паяного соединения.

Доступность

Первый доступный модуль с использованием новой технологии .XT - FF900R12IP4LD в конструктивном исполнении PrimePACK 2. Это модуль с топологией 'полумост', обеспечивающий ток 900A rms, на базе кристаллов IGBT4 с максимальной рабочей температурой Tj max 150°C.

Подробнее

18.05.2010
Компания m.Schneider присоединяется к Ferraz Shawmut.

1 мая 2010 года группа Карбон Лоррен купила австрийскую компанию м.Шнайдер.

Приобретение компании м. Шнайдер явилось ключевым моментом для компании Ферраз Шомет и послужило основанием считать компанию Ферраз Шомет лидером в области производства NH и DO систем.

Скоро у наших клиентов появится возможность пользоваться широкой линиейкой предохранителей и держателей на рынке NH и DO систем. Совокупность:

• Международной торговой сети
• Качества нашей продукции
• Надежности нашего обслуживания

Ключевые преимущества в приобретении компании м. Шнайдер для Ферраз Шомет заключаются в расширении номенклатуры, а именно в производстве 'выключатель-предохранитель NH', где у нас есть доступ к полной линейки продукции для данного сегмента рынка.

Надежное партнерство

Будучи экспертами в данном сегменте рынка мы гарантируем: Своевременные ответы Оперативные решения Долгосрочное партнерство Надежность и качество продукции

Мы проектируем, производим и устанавливаем электротехническую продукцию с 1926 года в г. Аннаберг, Германия и с 1946 г. в Вене, Австрия. Около 300 рабочих принимают активное участие в таких отраслях как: Производство предохранителей и выключателей Электроустановки Управление процессами производства Электронные базы данных Телекоммуникационные услуги

09.04.2010
Обновлен раздел "Силовые полупроводники": добавлена параметрическая таблица дискретных MOSFET производства Infineon (более 1000 наименований)

19.03.2010

Компания ICW анонсировала новое семейство проходных конденсаторов для фильтрации помех. Новая серия 5FT - это компактные пленочные конденсаторы для применений с токами 25 - 225А. Основные характеристики: Емкости 1 - 40мкФ Допустимое отклонение ± 10%, другие значения - по запросу tgB 0,001 при 1кГц и 20 ± 3°C Сопротивление изоляции 10000 MОм-мкФ при 400 Vdc и 20 ± 3°C Класс напряжения 240В (переменный ток), другие значения - по запросу Температурный диапазон -55 - 85°C Подробнее

12.03.2010
Обновлен раздел "Коммутационные устройства большой мощности": добавлена информация по коммутационным устройствам для подвижного состава железных дорог компании Tyco Electronics

05.03.2010
Новые МОП транзисторы серии OptiMOS? на 25В для DC/DC источников питания материнских плат серверов и телекоммуникационных приложений.

Компания Infineon Technologies представила семейство транзисторов OptiMOS? на 25В, предназначенных для регулирования напряжения в блоках питания серверов и телекоммуникационных коммутаторов. Новые транзисторы также устанавливаются в силовые драйверы TDA21220 семейства DrMOS, соответствующие спецификации Intel DrMOS.

Новые транзисторы позволяют снизить потери мощности источников питания почти на 20% и обеспечивают оптимальную эффективность при любых нагрузках. Так же большая плотность рассеиваемой мощности позволяет уменьшить плату для понижающего трансформатора больше, чем на 40% в стандартном блоке питания.

Например, в 6ти фазном регуляторе напряжения, новые транзисторы обеспечивают максимальную эффективность - 93% и более чем 90% эффективность по выходным токам в диапазоне от 30А до 180А при использовании драйвера на 5В. Малое сопротивление во включенном состоянии, низкий заряд затвора и малая выходная емкость позволили достичь подобной эффективности.

Согласно данным фирм по исследованию рынка, в 2011 году в мире будет насчитываться до 60 миллионов серверов. Сервер потребляет в среднем 600 Вт, что соответствует 36 ГВт. Снижение потребления даже на 1% ( 360МВт), сравнимо с мощностью гидроэлектростанции. Также более эффективные источники питания сокращают потребности в охлаждении, снижают потребление электроэнергии.

Компания Infineon Technologies предлагает новые транзисторы OptiMOS на 25В в трех типах корпусов: SuperSO8, CanPAK и S3O8. Новое устройство семейства DrMOS - TDA21220 - многокристальная микросхема, содержащая в корпусе размером 6х6 мм 2 новых силовых транзистора OptiMOS и кристалл драйвера.

Транзисторы OptiMOS 25В по соответствующим показателям качества превосходят транзисторы Trench-технологии с малым сопротивлением во включенном состоянии и латеральные (с горизонтальной структурой) МОП транзисторы с ультра низким зарядом затвора. При том же сопротивлении во включенном состоянии у транзисторов OptiMOS 25В на 35% ниже заряд затвора по сравнению с транзисторами Trench-технологии и на 50% ниже заряд затвор-сток по сравнению с лучшими латеральными МОП транзисторами.

Доступность и цены

Доступны опытные образцы транзисторов OptiMOS 25В и TDA21220 DrMOS.

Во втором квартале этого года компания Infineon так же планирует выпустить транзисторы OptiMOS на 30В. В сочетании с цифровыми контроллерами DC/DC и другими устройствами управления питанием компании Infineon, эта линейка транзисторов идеально подойдет для блоков питания ноутбуков. Они так же соответствуют требованиям, как системных блоков, так и требованиям Intel по эффективности и производительности.

Подробнее OptiMOS 25В
Подробнее PB-TDA21211

10.02.2010
Обновлен раздел "Силовые полупроводники": добавлена информация по кристаллам IGBT и дискретным IGBT

20.01.2010
IGBT RC-Drives - новое семейство 600В IGBT транзисторов Infineon для электроприводов бытовой техники.

Компания Infineon представила семейство IGBT транзисторов для электроприводов бытовой техники. Новые оптимизированные по цене IGBT транзисторы на 600В позволяют сделать экономически выгодным применение электроприводов с регулируемой скоростью вращения, что уменьшит энергопотребление до 30%.

Новое семейство IGBT транзисторов, изготовленные по технологии TRENCHSTOP? с обратным диодом в одном кристалле, являются развитием семейства транзисторов RC-H, предназначенных для систем индукционного нагрева.

В результате удалось создать IGBT транзиcтор для работы в режимах жесткого переключения (индуктивная нагрузка ) с низкими потерями проводимости, с уменьшенной площадью кристалла. Это, в свою очередь, позволяет сократить площадь печатной платы и размеры радиатора и уменьшить на 10% стоимость всей системы.

Доступны Транзисторы на 4А, 6А, 10А и 15А в двух типах корпусов: DPAK (TO-252) и IPAK (TO-251) с размерами 2,30мм x 6,50мм x 7,22мм. Это позволяет разрабатывать недорогие приводы мощностью от 30Вт до 2кВт. За счет оптимизации платы на транзисторе 15А, производитель может сократить площадь, занимаемую транзисторами до 50%.

Низкое напряжение насыщения новых транзисторов идеально для рабочих частот бытовых приводов(4 - 15кГц), при которых доминируют потери проводимости. Это предотвращает перегрев даже при работе сильноточных приборов с полной нагрузкой. Низкий уровень электромагнитных помех достигается благодаря технологии TRENCHSTOP? IGBT.

Подробнее

19.01.2010
Компания Infineon расширяет линейку силовых МОП-транзисторов OptiMOS?: 200В и 250В

Компания Infineon представляет новое семейство силовых МОП-транзисторов OptiMOS? на 200В и 250В, предназначеных для синхронного выпрямления в системах с напряжением питания 48В, например, для использования в DC-DC конверторах, в источниках бесперебойного питания (ИБП) и инверторах для двигателей постоянного тока.

У разработчиков, проектирующих блоки питания на 48В с диодным выпрямительным звеном во вторичных источниках энергии, появилась альтернатива, обладающая большей эффективностью и меньшими потерями энергии.

Характерная черта семейства транзисторов OptiMOS на 200В и 250В - сопротивление во включенном состоянии на 50% ниже, чем у аналогов, что обеспечивает минимальные потери мощности при больших рабочих токах. Самый низкий заряд затвора - на 35% ниже, чем у аналогов - способствует уменьшению потерь и быстрому переключению в импульсных устройствах таких, как изолированные DC-DC конверторы. Применение новых транзисторов дает возможность снизить стоимость за счет сокращения числа параллельно включенных устройств и использовать меньшие радиаторы, благодаря небольшому сопротивлению.

Отличные характеристики семейства OptiMOS 200В и 250В позволяют использовать тонкий корпус SuperSO8 (5мм*6мм*1мм) в тех устройствах, где раньше требовались крупные устройства D²PAK (9мм*10мм*4,5мм). Корпус SuperSO8 позволяет уменьшить на 90% площадь, необходимую для полупроводникового элемента, и создавать более мощные устройства.

Доступны компоненты семейства OptiMOS 200В и 250В: в корпусах TO-220, TO-262, D²PAK и SuperSO8 с сопротивлениями R _DS(on) 10,7мОм, 20 мОм, 32 мОм и 60 мОм.

Подробнее

10.12.2009
Опубликована в русском переводе статья Infineon "Тиристоры с оптическим управлением для импульсной энергетики".

Печатная версия в журнале 'Силовая Электроника' N5 2009 (www.power-e.ru)

10.12.2009
Опубликована авторская статья А.Бербенца "Драйверы CT-Concept для силовых IGBT- и MOSFET-модулей на базе нового ядра SCALE-2".

Печатная версия в журнале 'Силовая Электроника' N5 2009 (www.power-e.ru)

26.11.2009
Опубликована в русском переводе статья Infineon "Работа IGBT-транзисторов типа Trench/Field-Stop в условиях действия повторяющегося тока короткого замыкания"

26.11.2009
Ограничители перенапряжения Surge-Trap- второго поколения: отказоустойчивое решение, обеспечивающее стойкость к температурным перегрузкам и наивысший уровень безопасности и защищенности

05.11.2009
Опубликована в русском переводе статья по применению "Работа IGBT на напряжение 6.5кВ в режиме короткого замыкания"

05.10.2009
Infineon представляет завершенное семейство IGBT-модулей PrimePACK? на класс напряжений 1200В/1700В для общепромышленных и тяговых электроприводов

Infineon сообщил о запуске серийного производства всего семейства IGBT-модулей PrimePACK? на напряжения 1200 и 1700 Вольт, в конфигурациях полумост и чоппер, с интегрированным терморезистором с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (NTC). Модули, выполненные по технологии TRENCHSTOP?, доступны в двух оптимизированных версиях:

• Большой мощности, с технологией IGBT4, маркируются P4
• Средней мощности, с технологией IGBT4, маркируются E4

Версия P4 ориентирована на приложения со стандартными условиями работы и управления.

Версия E4 отличается малыми коммутационными потерями и идеально подходит для высокочастотных приложений с малыми паразитными индуктивностями схемы инвертора и с использованием более быстродействующего драйвера.

Все IGBT-модули семейства PrimePACK? имеют медное основание и устанавливают на рынке новые стандарты срока службы.

Номенклатура устройств

• Приставка D в маркировке обозначает усиленный обратный диод
• Приставка B2 в маркировке обозначает версию модуля для тяговых приводов с увеличенным количеством термических циклов
• Модуль FF600R12IS4F имеет встроенный диод на основе карбида кремния (SIC-диод) и кристалл IGBT, выполненный по технологии IGBT2 Fast

Отличительные особенности семейства PrimePACK?:

• Технология TRENCHSTOP? IGBT4 с рабочей температурой перехода 150°C
• В два раза больше рабочих циклов у модулей высокой мощности, даже при температуре перехода 150°C
• В пять раз больше термических циклов у модулей для общепромышленных применений
• В десять раз больше термических циклов у модулей для тяговых применений
• Ультразвуковая разварка выводов обеспечивает непревзойденную механическую прочность и увеличивает срок службы
• Срок службы тяговых модулей с медным основаниям отвечает требованиям для применения на транспорте. Усиленный диод с низким температурным коэффициентом сопротивления оптимизирован для работы с положительной обратной связью по температуре.
• Модули с топологией чоппер доступны на напряжения 1200 и 1700 Вольт
• Модули с топологией полумост мощностью 600А/1200В доступны с интегрированным SIC-диодом
• Все устройства выпускаются в бессвинцовом исполнении и соответствуют требованиям RoHS

Основные области применения:

• Ветряные электростанции
• Инверторы солнечных батарей
• Транспорт
• Общепромышленные электроприводы
• Подъемники
• Индукционный нагрев
• Вспомогательные приводы

IGBT-модули семейства PrimePACK?

28.09.2009
Компания Electronicon авторизовала ЭФО в качестве своего официального дистрибьютора силовых конденсаторов в России.

Компания ELECTRONICON - эксперт в области разработки и производства высококлассных пленочных конденсаторов для переменного и постоянного тока, предлагает инновационные и высококачественные компоненты для компенсации реактивной мощности, фильтрации гармоник, силовой электроники, осветительной аппаратуры и силовых приводов. Подробнее каталог конденсаторов

ЭФО авторизовано как дистрибьютор конденсаторов для силовой электроники

28.09.2009
Начал работу в тестовом режиме раздел сайта ЭФО, посвященный компонентам Силовой Электроники.

На первом этапе сформированы параметрические таблицы для удобного поиска и выбора компонентов, а также полной технической информации по каждому из них.

В дальнейшем раздел будет непрерывно пополняться новыми материалами о применении компонентов, статьями, обзорами, ссылками и другой полезной информацией - следите за обновлениями на www.efo.ru/power !

28.09.2009
В раздел 'Драйверы IGBT' добавлена информация на русском о семействе драйверов SCALE-2.

28.09.2009
Компания FERRAZ SHAWMUT авторизовала ЭФО в качестве своего официального дистрибьютора в России.

FERRAZ SHAWMUT мировой лидер по производству устройств защиты электрооборудования общего и промышленного назначения предлагает полную гамму новейших и надёжных предохранителей и плавких вставок, отвечающих всем мировым стандартам.

FERRAZ SHAWMUT также производит широкий спектр систем терморегулирования для разнообразных приложений в области силовой электроники.

FERRAZ SHAWMUT проектирует, производит и поставляет на рынок надежные коммутационные аппараты постоянного и переменного тока, которые широко используются в энергетике, на электротранспорте, системах электроснабжения, распределения, преобразования и передачи энергии.

01.08.2009
В ООО "ЭФО" создан Отдел Силовой Электроники

Проводившаяся в течение нескольких лет работа ООО ЭФО в области силовой электроники привела к созданию в июне 2009 года выделенного структурного подразделения: Отдела силовой электроники. Конечной целью данной реорганизации является сделать ЭФО предпочтительным поставщиком изделий силовой электроники для наших заказчиков.

Исходя из этой задачи сформирован первоначальный набор поставляемых продуктов и их поставщиков, которые по мере выявления потребностей заказчиков безусловно будут дополняться и расширяться.

Предоставление профессиональной технической поддержки заказчикам по поставляемой продукции, а также обеспечение привлекательных коммерческих условий их поставки, являются приоритетными задачами сотрудников отдела Силовой Электроники ЭФО.

Традиционно высокий уровень логистических возможностей ЭФО и большой опыт сотрудников отдела продаж, включая региональные филиалы, призваны дополнить "техническую составляющую" и позволят ЭФО занять достойные позиции на рынке компонентов силовой электроники.