ООО ЭФО
Поиск по складу
Программа поставок 2017
Сегодня
www.powel.ru
источники питания
www.korpusa.ru
конструктивы и корпуса РЭА
www.wless.ru
беспроводные технологии
www.efo-sensor.ru
датчики и первичные преобразователи
www.mymcu.ru
микроконтроллеры
altera.ru
микросхемы Altera
www.infiber.ru
волоконно-оптические
компоненты в
промышленности
www.efo-power.ru
силовая электроника
www.efo-electro.ru
электротехническая
продукция
www.efometry.ru
контрольно-измерительные приборы
www.golledge.ru
кварцевые резонаторы и генераторы Golledge
www.sound-power.ru
профессиональные усилители класса D
Поиск по сайту
Подписка на новости

Система менеджмента
качества сертифицирована на соответствие требованиям:
ISO 9001, ГОСТ Р ИСО 9001 и СРПП ВТ - подтверждено сертификатами соответствия в системах сертификации Русского Регистра, ГОСТ Р, международной сети IQNet, "Оборонсертифика" и "Военный Регистр".

ООО "ЭФО" в 2011г. получило Лицензию Федеральной службы по экологическому, технологическому и атомному надзору на изготовление оборудования для ядерных установок.


Rambler s Top100



ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
EEN
webmaster
Санкт-Петербург: (812) 327-86-54  zav@efo.ru Москва: (495) 933-07-43  moscow@efo.ru Екатеринбург: (343) 278-71-36  ural@efo.ru Пермь: (342) 220-19-44  perm@efo.ru
Казань: (843) 518-79-20  kazan@efo.ru Ростов-на-Дону: (863) 220-36-79  rostov@efo.ru Н. Новгород: (831) 434-17-84  nnov@efo.ru Новосибирск: (383) 286-84-96  nsib@efo.ru
о нас склад библиотека статьи
 
   
Новости

21.04.2016
Опубликована обзорная статья, посвященная новым семействам микроконтроллеров Cortex-M семейства XMC компании Infineon - XMC1400, XMC4700 и XMC4800

29.07.2015

Компания Infineon закончила бета-тестирование интегрированной среды разработки Dave4. 

Версия 4 интегрированной среды разработки и отладки Dave (Digital Application Virtual Engineer) компании Infineon сохранила все лучшие концепции предыдущей версии и получила много значимых усовершенствований. Этот инструментарий, предназначенный для микроконтроллеров с ядрами Cortex-M от Infineon, использует компонентно-ориентированный подход к разработке встроенного программного обеспечения с графическими формами конфигурирования компонентов и обеспечивает все циклы разработки и отладки. В основе Dave4 лежит система на базе Eclipse.

Среда распространяется бесплатно и доступна для загрузки с сайта производителя. Кроме этого, также доступна SDK. Необходимо отметить, что между бета-версией и окончательным релизом имеются отличия. Поэтому, возможно, предыдущие App (комплексные объекты конфигурирования блоков периферии) потребуют ручной коррекции.

 Версию Dave4 можно загрузить по следующей ссылке



22.04.2015

Компания Infineon анонсировала планы по выпуску микроконтроллеров семейства XMC со встроенным узлом EtherCAT.

Infineon продолжает развивать своё семейство XMC микроконтроллеров с архитектурой Cortex-M4. Кроме доступных в настоящее время микроконтроллеров XMC4500 в разработке находятся новые семейства XMC4700 и XMC4800. О планах в отношении XMC4700 было заявлено достаточно давно - это развитие семейства XMC4500 в плане увеличения максимальной тактовой частоты и размера встроенной памяти. Новое семейство XMC4800 с ядром Cortex-M интересно наличием аппаратно реализованного узла EtherCAT. Это будет первый микроконтроллер с данной функцией. Протокол EtherCAT можно будет реализовать в slave режиме, без использования дополнительных специализированных микросхем  (как правило, заказных ASIC, так как спецификации на данный протокол доступны только компаниям, участвующим в разработке стандарта), дополнительной внешней памяти и источников опорной частоты.

Планируемые характеристики: частота ядра 144 МГц, до 2 Мб Flash-памяти и до 352 Кб ОЗУ, рабочие температурные диапазоны -40…+85С и -40…_125С. Образцы новых микроконтроллеров  будут доступны, начиная с августа 2015 года; серийный выпуск запланирован на первый квартал 2016 года.



13.03.2015

На склад поступили микроконтроллеры SAL-XC886CLM-8FFA 5V с рабочим температурным диапазоном от -40 до +150 градусов Цельсия. 

Ядро XC886 совместимо по системе команд  с Intel 8051 и дополнено  периферийными блоками, хорошо подходящими для решения задач управления двигателями в неблагоприятных условиях (например, в транспортных средствах и системах управления погружными насосами).  Микроконтроллеры работают с тактовой частотой 20 МГц и имеют встроенный Cordic-сопроцессор, 32К памяти программ и статическое ОЗУ 1,7К. Аппаратно реализованы интерфейсы UART и SPI, имеется 8- канальный АЦП и аппаратные блоки формирования ШИМ. Напряжение питания составляет 5 Вольт.



20.11.2014

Компания Infineon разработала два новых семейства систем на кристалле (SOC) TLE987x и TLE986x , предназначенных для управления 3х-фазными и 2х-фазными бесколлекторными электродвигателями. Решение Infineon позволяет применять различные алгоритмы управления и позволяет уменьшить количество компонентов, требуемых для создания узлов управления электродвигателями.

Основой новых кристаллов являются микроконтроллеры с ядром Cortex-M3 с рабочей частотой 24 и 40 МГц, ОЗУ объемом 3 или 6 Кб и Flash-памятью для хранения программ объемом от 36 до 128 Кб. Для эффективного решения задач управления электромоторами новые микроконтроллеры имеют 10-битный АЦП последовательного приближения, встроенный генератор тактовых частот, блок прямого доступа к памяти (DMA), драйверы для управления мощными выходными NFET транзисторами и зарядовым насосом (charge pump), позволяющие задавать крутизну управляющих сигналов, а также интерфейc управления LIN2.2 с возможностью быстрого программирования микроконтроллера через этот же интерфейс.

Микросхемы выпускаются в корпусах PG-VQFN с размерами 7х7 мм. По запросу доступны средства поддержки разработки.



28.04.2014
Выпущены в производство микроконтроллеры семейства XMC1000 компании Infineon Подробнее

24.10.2013

Компания Infineon приступила к выпуску всех запланированных вариантов микроконтроллеров семейства XMC4500. Ранее были доступны только старшие представители этой серии. Микроконтроллеры разработаны на основе ядра Cortex M4 и предназначены для применения в промышленности на транспорте.

В то время, когда компании, использующие данное ядро в разработке микроконтроллеров, ориентируются в основном на экономичные решения, компания Infineon во главу угла ставит высокую надёжность. Infineon применяет многолетние, отлаженные на предыдущих сериях микроконтроллеров наработки, обеспечивающие за счет улучшенных алгоритмов управления высокую энергоэффективность устройства в целом. Этому способствует хорошо развитая периферия, ориентированная именно на промышленные задачи, такие как управление двигателями и другими мощными потребителями электроэнергии, например, широтно-импульсными модуляторами с разрешением до 150 пикосекунд.

Кроме этого, компания Infineon обеспечивает высокую безопасность и бесперебойность проектируемого оборудования не только с точки зрения аппаратной платформы, но и разработки готовых библиотек для реализации функций самотестирования устройства и расширенной превентивной диагностики.

В ближайшее время ожидается массовый выпуск микроконтроллеров серии XMC1000 с ядром Cortex-M0.

Дополнительную информацию Вы можете посмотреть на сайте Infineon. По вопросам поставки образцов и регистрации проектов обращайтесь в отдел продаж компании "ЭФО".



16.08.2013

Фирма Infineon одновременно с развитием 32-разрядных микроконтролеров серии ХМС, базирующихся на ядрах Cortex M4 и M0, продолжает расширять линейку высокотемпературных 8-разрядных микроконтроллеров ХС866. Первые кристаллы с допустимой рабочей температурой +150 С были представлены в 2012 году. В результате постоянного улучшения технологии производства компания Infineon сначала сертифицировала микроконтроллеры с допустимой рабочей температурой до +140 С, а затем выпустила серию, отвечающую наиболее жёстким требованиям в соответствии с AECQ-100 - Grade 0. И хотя эта серия представлена у Infineon в категории для автомобильных применений, такие изделия наиболее востребованы в добывающей промышленности (например, для управления двигателями погружных насосов) и устройствах, где требуется повышенная надёжность.

Серия высокотемпературных микроконтроллеров выпускается с напряжением питания 3,3 В и 5 В. Микросхема SAL-XC866-2FRA 5V BE имеет напряжение питания 5 В, что обеспечивает повышенную помехоустойчивость. Важно отметить, что эта серия также имеет расширенный диапазон хранения от -65 С, что особенно важно, поскольку соответствует требованиям ГОСТ.

Микроконтроллер SAL-XC866-2FRA 5V BE будет выпускаться в корпусе TSSOP38, и иметь тактовую частоту 25 мегагерц. Система команд совместима с I8051 микропроцессором и поддержана не только основными пакетами для разработки программного обеспечения (IAR и Keil), но и фирменной системой Infineon для конфигурирования периферии и генерации библиотек Dave. Это позволяет значительно упростить процесс разработки и сократить время реализации проекта. Полная спецификация на микроконтроллер доступна на сайте компании www.infineon.com.



03.07.2013

Микросхема представляет из себя понижающий преобразователь с широким входным диапазоном напряжений от 4,75 до 45 вольт и обеспечивает управление 2 N-канальными транзисторами, позволяющими работать с выходными токами до 10 ампер в температурном диапазоне от -40 до 150 градусов Цельсия.

Она способна функционировать при очень малом падении напряжения на преобразователе за счет обеспечения скважности более 90 %, имеет малое собственное потребление (менее 2 микроампер), перестраиваемую частоту преобразования в диапазоне от 100 до 700 килогерц, точность установки выходного напряжения не хуже 2%, а также поддерживает режим синхронизации.

Встроенный режим мягкого старта и защита от перенапряжения повышают надёжность работы. Установка ограничения выходного тока обеспечивается внешним резистором. Дополнительным преимуществом является наличие внутреннего диода формирующего напряжение bootstrap для питания транзистора верхнего плеча.

Микросхема выпускается в миниатюрном корпусе SSOP14 с дополнительной теплоотводящей площадкой.



01.07.2013

На складе имеются в наличии отладочные платы для процессоров Infineon c ARM ядром, позволяющие оценить возможности и выполнять разработку

на процессорах с ядром Cortex M4f Relax Kit и на процессорах с ядром Cortex M0 XMC1100 Boot Kit и XMC1300 Boot Kit.



20.06.2013
Фирма Infineon выпустила новую микросхему для FlexRay сетей в соответствии с требованиями спецификации для физического уровня версии 3.0.1.

Новая микросхема TLE9221SX представляет собой шинный контроллер FlexRay, который обеспечивает взаимодействие контроллера шины с физической средой передачи на скорости от 1 до 10 Мбит в секунду.

Микросхема TLE9221SX дополнительно защищена от внешних электромагнитных излучений (EMI), обладает низким уровнем собственных паразитных электромагнитных излучений (EME) при работе на длинных линиях и с шинами сложных топологий, а также усиленной защитой от электростатических наводок (до 11 киловольт).

Необходимо также отметить такие характеристики, как уменьшенный джиттер, поддержку минимальной длительности сигнала на уровне 60 наносекунд, обнаружение ошибок и автоматическую адаптацию к уровню управляющих логических сигналов.

Микросхема выпускается в 14 выводном TSSOP корпусе и доступна для заказа. Дополнительную информацию можно посмотреть на сайте производителя



16.04.2013
Компания Infineon выпустила ARDUINO-совместимый набор разработки XMC1100 Boot Kit, предназначенный для микроконтроллеров серии XMC1000 с ядром Cortex-M0 Подробнее

12.04.2013
На сайте www.mymcu.ru размещена информация по микроконтроллерам фирмы Infineon Подробнее

16.08.2012
Приглашаем на семинар по силовой продукции Infineon Подробнее

21.09.2010
Компания Infineon представляет полный ассортимент IGBT модулей в корпусе Easy1B с технологией непаянных контактов PressFIT

Стандартные конфигурации модулей Easy1B теперь доступны как с контактами под пайку, так и контактами по технологии PressFIT.

Начав производство модулей с технологией Easy PressFIT в корпусе Easy2B, компания Infineon обеспечила полный диапазон стандартных конфигураций в корпусе Easy2B.

Теперь все стандартные конфигурации IGBT модулей, в том числе PIM, PACK и Bridge модули доступны с контактами по технологии PressFIT наравне с обычными паяными контактами.

Типы модулей и наименования:


EasyPIM 1B:

Material No. Type Sales Product
29256 FP10R12W1T4_B11 SP000707708
29257 FP15R12W1T4_B11 SP000707712
34583 FP10R06W1E3_B11 SP000790734
34584 FP15R06W1E3_B11 SP000790730
34585 FP20R06W1E3_B11 SP000790726
34586 FP30R06W1E3_B11 SP000790722

EasyPACK 1B:

Material No. Type Sales Product
34590 FS25R12W1T4 B11 SP000790756
34591 FS35R12W1T4 B11 SP000790752
34587 FS20R06W1E3 B11 SP000790748
34588 FS30R06W1E3 B11 SP000790744
34589 FS50R06W1E3 B11 SP000790740

EasyBRIDGE 1B:

Material No. Type Sales Product
34592 DDB6U75N16W1R B11 SP000790760

Схематическое изображение PressFIT контакта:

Технология PressFIT

Надежность контактов PressFIT основывается на том, что зона контакта недоступна для газа (соединение типа холодной сварки, см. рис.), т.е. обладает стойкостью к коррозии и воздействиям окружающей среды за счет специфической пластичной деформации в области контакта. В результате чего интенсивность отказов почти в десять раз меньше, чем у паяных контактов.

07.09.2010
Новое семейство MOSFET производства Infineon с рекордно низким значением сопротивления канала во включенном состоянии - серия OptiMOS™-T2 40В

Современные автомобильные приложения требуют новых уровней мощности, экологической безопасности и к.п.д. двигателя. В то же время экологические нормативы ограничивают электромагнитные потери, особенно при электронном управлении системами автомобиля с использованием широтно-импульсной модуляции.

Для решения этих задач и предназначено новое поколение автомобильных MOSFET транзисторов, высококачественных, надежных, с высокой теплоотдачей. Новое семейство транзисторов OptiMOS™-T2 на 40В изготавливаются в бессвинцовых, прочных корпусах, с лучшим в своем классе сопротивлением во включенном состоянии RDS(on) и самым большим диапазоном токов для автомобильных двигателей и систем.

Основные характеристики OptiMOS™-T2 40В

  • Самое низкое сопротивление во включенном состоянии (RDS(on)) при 40В (0,98 мОм при 10В управляющего напряжения на затворе)
  • Самая высокая допустимая нагрузка по току
  • Самые низкие потери при переключении и статические потери при отличной теплоотдаче
  • Высококачественные, надежные и прочные корпуса
  • Соответствуют требованиям AEC (Automotive Electronics Council), как компоненты для автомобильного применения
  • Максимальная рабочая температура + 175°C
  • Максимальный ток стока I(d) до 180А (100А) в корпусе D2-PAK (DPAK)
  • Оптимизированный полный заряд затвора для минимальной требуемой мощности драйвера
Подробнее Подробнее

02.09.2010
Компания Infineon представляет силовые MOSFET транзисторы на 30В с предельно допустимым током 180А и минимальным сопротивлением во включенном состоянии (меньше 1мОм) для автомобильных применений

Компания Infineon анонсировала силовые MOSFET транзисторы на 30В с самым низким в мире сопротивлением во включенном состоянии для автомобильных применений. Новый OptiMOS™-T2 на 30В - N-канальный транзистор с током стока 180А имеет R DS(on) 0,9мОм при напряжении затвор-исток 10В. Транзистор IPB180N03S4L-H0 в корпусе D2PAK-7 рассчитан на потребителя, которому необходимы силовые MOSFET транзисторы в стандартном корпусе, обладающими как высокими номинальными токами, так и низким сопротивлением во включенном состоянии по доступной цене

Новый транзистор изготовлен по trench технологии компании Infineon для силовых MOSFET транзисторов OptiMOS-T2 - идеален для применения в автомобильных сильноточных приводах, электроусилителях руля (EPS) и особенно для старт/стоп режима.

По сравнению с предыдущими, trench-технология второго поколения силовых MOSFET транзисторов, OptiMOS-T2, позволяет уменьшить как сопротивление RDS(on), так и заряд затвора. В результате стало возможным получить минимальный коэффициент качества (Figure of Merit, FoM), который является произведением значений сопротивления RDS(on) и заряда затвора. Помимо этого, при сборке транзисторов в корпус применена улучшенная технология проволочных соединений для больших токов 'Powerbond', направленная на уменьшение 'вклада', вносимого сопротивлением проволочного соединения в RDS(on) MOSFET транзистора и увеличение допустимой нагрузки по току. Это также позволяет повысить надежность за счет того, что проводники меньше нагреваются. Современная технология Powerbond позволяет разместить до 4 пар проводников толщиной 500чм в одном MOSFET транзисторе, таким образом, можно использовать стандартный корпус при номинальном токе 180А

Технология OptiMOS-T2 и корпус рассчитаны на то, чтобы выдерживать температуру 260°C во время пайки оплавлением для уровня MSL1 (Moisture Level 1), при этом покрытие не содержит свинца, что соответствует RoHS. Силовой MOSFET транзистор IPB180N03S4L-H0 полностью отвечает требованиям Automotive Electronics Council (AEC-Q101).

IPB180N03S4L-H0 предназначен для применений с высокими токами (более 500А), где требуется использование большого количества параллельно соединенных MOSFET транзисторов. Так как IPB180N03S4L-H0 рассчитан на работу с номинальным током 180А, это позволяет в ряде приложений исключить параллельное соединение транзисторов.

Доступность

Транзистор IPB180N03S4L-H0 на 30В с током стока 180А и сопротивлением RDS(on) 0,9мОм запущен в массовое производство. Также компания Infineon предлагает модификацию на 30В и током стока 180А (IPB180N03S4L-01) с сопротивлением RDS(on) 1,05мОм при напряжении затвор-исток 10В для критичных по цене приложений. Оба транзистора доступны в стандартном корпусе D 2PAK-7

Подробнее Подробнее

29.07.2010
Компания Infineon расширяет номенклатуру IGBT модулей семейства PrimePACK модулями на более высокие рабочие токи.

Выпущен лучший на сегодняшний день в данном классе модуль в корпусе PrimePACK3 с рабочим током 1400А (рабочее напряжение 1700В). В модуле используются IGBT кристаллы, изготовленные по технологии IGBT4 с увеличенной максимальной рабочей температурой перехода +150 C. Топология модуля - полумост с встроенным NTC терморезистором. Основные области применения силового модуля: 3-х уровневые инверторы, вспомогательные преобразователи, силовые приводы, ветроэнергетика.

Начало серийного производства 1 кв. 2011. Принимаются заявки на образцы.

Подробнее Подробнее

20.07.2010
Компания Infineon расширяет производство кристаллов IGBT4 на 1700В в Малайзии.

Производство модулей остается исключительно в Европе (Германия и Венгрия).

Подробнее Подробнее

15.07.2010
Обновлена параметрическая таблица по дискретным IGBT транзисторам.

15.07.2010
Компания Infineon опубликовала новый Selector Guide на дискретные IGBT.

13.07.2010
Компания Infineon расширяет линейку высоковольтных силовых транзисторов CoolMOS™ серией C6/E6 на 650В для обеспечения высокой эффективности и простого управления в коммутационных приложениях.

Компания Infineon Technologies выпустила новую серию силовых MOSFET транзисторов CoolMOS™ C6/E6 на 650В, сочетающих в себе преимущества современных транзисторов с суперпереходом (Super Junction), таких как, низкое сопротивление канала во включенном состоянии и малые потери при переключении, с простым управлением характеристиками переключения, при этом встроенный обратный диод обладает повышенной стойкостью к перегрузкам. Основанные на одной и той же технологии, транзисторы C6 оптимизировались с точки зрения простоты использования, тогда как транзисторы E6 разрабатывались для обеспечения максимальной эффективности.

CoolMOS™ C6/E6 - это шестое поколение силовых высоковольтных MOSFET транзисторов с суперпереходом от компании Infineon. Новые транзисторы CoolMOS™ C6/E6 на 650В обладают быстродействующими управляемыми характеристиками переключения и дают возможность создавать приложения, в которых эффективность и плотность мощности имеют большое значение. Транзисторы серии CoolMOS™ C6/E6 - лучший выбор для различных коммутационных приложений с низким энергопотреблением, таких как, адаптеры для ноутбуков, солнечные и другие импульсные источники питания, где требуются дополнительные запасы по пробивному напряжению.

По сравнению с семейством CoolMOS™ C3 на 650В, новые транзисторы CoolMOS™ C6/E6 на то же напряжение обеспечивают на 20% меньшее накопление энергии в выходной емкости (Eoss), при этом улучшенный встроенный диод этих транзисторов обладает большей стойкостью к перегрузкам при жестких коммутациях и уменьшенным на 25% зарядом обратного восстановления. Режимы переключения транзисторов C6/E6 обеспечивают оптимальные скорости нарастания тока и напряжения, благодаря сбалансированной структуре с настраиваемыми резисторами затвора.

Доступность

Образцы IPA65R280C6 / IPA65R280E6 (280мОм в корпусе TO220 FullPAK) и IPA65R380C6 / IPA65R380E6 (380 мОм в корпусе TO220 FullPAK) доступны уже сейчас. Серийное производство этих транзисторов начнется в июле 2010 года. Линейка будет постепенно расширяться, ожидаемый срок окончания комплектации - конец 2010 года.

Дополнительная информация:

www.infineon.com/power
www.infineon.com/c6e6

08.07.2010
Копания Infineon объявила о прекращении производства IGBT модулей: FF100R12MT4, FF150R12MT4, FF200R06ME3, FF300R06ME3, FF400R06ME3.
В качестве замены предлагаются модули на более высокие рабочие токи.
Значения токов новых модулей увеличены на 50 - 200А в зависимости от типа.
Последний срок заказа 31.12.2010

Подробнее Подробнее

05.07.2010
Компания Infineon расширяет пределы по частоте и эффективности с 3 поколением IGBT транзисторов High Speed.

Компания Infineon Technologies представляет семейство IGBT модулей High Speed 3 (3е поколение), предназначенных для работы в приложениях с большой частой и жестким режимом переключениями. У транзисторов этого семейства минимальные потери при переключении, лучшая в своем классе эффективность, при этом они рассчитаны на работу при частоте до 100кГц.

За последние несколько лет требования приложений к дискретным IGBT, заставили разработчиков улучшать характеристики транзисторов, чтобы добиться максимальной производительности системы. Новое семейство High Speed 3 на 600 и 1200В дает возможность разработчикам высокочастотных устройств, таких как электросварочные машины, инверторы для фотоэлектрических систем, импульсные и бесперебойные источники питания, добиться лучшей производительности системы.

Новое семейство IGBT модулей High Speed 3 оптимизировано для приложений с частотой переключений до 100кГц. Полные потери при выключении снижены на 35% по сравнению с предыдущими версиями. Такое существенное сокращение было достигнуто за счет уменьшения 'хвоста' тока при выключении на 75% , что уже приближается к параметрам MOSFET транзистора.

Так как значение V ce(sat) (напряжение насыщения во включенном состоянии) также оказывает значительное влияние на полные потери, то необходимо достичь баланса между потерями при переключении и потерями за счёт проводимости. У транзисторов семейства High Speed 3 не только очень низкие потери при переключении, но также низкие потери продимости, благодаря технологии Trenchstop™, со свойственным ей малым значением V ce(sat).

Характеристики встроенного обратного диода оптимизированы: размер выбран с учетом работы с высокой частотой переключения, при этом обеспечивается мягкая характеристика переключения, что снижает излучаемые электромагнитные помехи.

Доступность

Транзисторы нового семейства High Speed 3, соответствующие требованиям RoHS, доступны на токи 20 - 50А при 600В и 15 - 40А при 1200В.

Дополнительная информация

Дополнительная информация по IGBT транзисторам доступна на сайте: www.infineon.com/igbt

01.07.2010
Новые IGBT модули Infineon серии PrimePACK™ 3 и EconoDUAL™ 3 с повышенной плотностью мощности.

Компания Infineon Technologies выпустила новые высоконадежные IGBT модули с повышенной плотностью мощности: модуль PrimePACK™ с номинальным током коллектора 1400A и напряжением 1700В в корпусе PrimePACK 3, а так же новый представитель семейства EconoDUAL™, модуль EconoDUAL 3 с током 600A и при 1200В.

Новый модуль FF1400R17IP4 с номинальным током коллектора 1400A и напряжением 1700В в корпусе PrimePACK 3 существенно расширил линейку модулей PrimePACK. Области применения: возобновляемые источники энергии, транспорт, CAV (коммерческий, сельскохозяйственный и строительный транспорт) и силовые промышленные приводы. Новый IGBT модуль отвечает стремительно растущим требованиям рынка в отношении большой мощности, компактных размеров и высокой надежности. Размеры PrimePACK 3: 89мм*250мм. Новый модуль, как и все семейство, отличают оптимизированная топология кристалла и продуманный дизайн модуля. Инновационная концепция корпусирования позволила улучшить распределение и рассеивание тепла, уменьшить тепловое сопротивление между базовой платой и теплоотводом, а так же свести к минимуму внутреннюю паразитную индуктивность.

Новый модуль FF600R12ME4 в корпусе EconoDUAL 3 на сегодняшний день - самый эффективный в популярном семействе EconoDUAL, с номинальным током коллектора 600A и напряжением 1200В. Области применения: частотные преобразователи в автоматических системах приводов, центральные инверторы в системах солнечной энергетики, дизель-генераторные приводы двигателей (CAV). За счет оптимизации конструкции с точки зрения технологии коммутации и теплового сопротивления, стало возможным применять модули при больших токах, что повышает их эффективность. При использовании модуля FF600R12ME4 увеличивается диапазон мощности на 30% при тех же размерах корпуса. В дополнение к стандартной версии с выводами под пайку, в семействе EconoDUAL 3 появилась версия с выводами под запрессовку типа PressFIT.

Доступность

Образцы IGBT модуля FF1400R17IP4 семейства PrimePACK 3 будут доступны в 3 квартале 2010 года. Производство начнется в 4 квартале 2010 года.

Образцы модуля FF600R12ME4 в корпусе EconoDUAL 3 так же будут доступны в 3 квартале 2010 года. Производство начнется в сентябре 2010 года.

Дополнительная информация

Дополнительная информация о модуле PrimePACK 3 и семействе продуктов PrimePACK: www.infineon.com/primepack.

Дополнительная информация о модуле EconoDUAL3 и семействе продуктов EconoDUAL: www.infineon.com/dual3.

01.07.2010
В связи с заменой снимаются с производства следующие IGBT модули 12 и 17 классов в корпусе 62 мм:

BSM100GB170DL, BSM150GB170DL, BSM200GB170DL, BSM300GA170DL, BSM400GA170DL, BSM100GB120DN2F, BSM150GB120DN2F, BSM200GA120DN2F, BSM400GA120DN2F, BSM200GA120DN2FS, BSM300GA120DN2FS, BSM400GA120DN2FS, BSM300GA170DLS, BSM400GA170DLS, BSM200GA120DN2C, BSM400GA120DN2C, BSM200GA120DN2S, BSM300GA120DN2S, BSM400GA120DN2S, BSM200GA170DN2S, BSM300GA170DN2S.

Последний срок размещения заказа 01.01 2011

Подробнее Подробнее

28.06.2010
Компания Infineon объявила о прекращении выпуска ряда дисковых тиристоров и диодов в эпоксидных (черных) корпусах. Для некоторых из них предусмотрена замена в керамическом (белом) корпусе.

Подробнее:

28.06.2010
Обновлен раздел "Дискретные IGBT": добавлена информация по дискретным транзисторам и транзисторам с антипараллельным диодом семейства HighSpeed3 на 600В. Подробнее

06.06.2010
Новая технология .XT компании Infineon значительно увеличивает срок службы IGBT модулей и дает перспективу повысить максимальную температуру p-n перехода до 200°C

Кривая коммутационного ресурса

Компания Infineon Technologies представила улучшенную технологию корпусирования кристалла и внутренней разводки IGBT модулей, которая значительно повышает их срок службы. Новая технология .XT оптимизирует все внутренние взаимосвязи в IGBT модуле, влияющие на срок службы. С помощью новой технологии компания Infineon смогла выполнить требования новых приложений в отношении устойчивости к циклическим нагрузкам большой мощности, а так же повысить плотность мощности и максимальную рабочую температуру p-n перехода.

Новая технология .XT увеличивает срок службы IGBT модулей в 10 раз по сравнению с существующими технологиями. С другой стороны при том же сроке службы выходная мощность модуля может быть повышена на 25%. Новая технология поддерживает максимальную температуру p-n перехода полупроводникового кристалла до 200°C.

Известно, что циклические нагрузки приводят к изменениям температуры и механическим воздействиям на внутреннюю разводку IGBT модуля. Разные коэффициенты температурного расширения разных проводящих слоев вызывают механические напряжения, что может привести к усталости материала и его износу. Новая технология .XT охватывает три критические области, ответственные за устойчивость IGBT модуля к циклическим нагрузкам: проволочный монтаж на лицевой стороне кристалла, пайку обратной стороны кристалла к DCB (Direct Copper Bond) промежуточной подложке и пайку DCB подложки к основанию модуля.

  • Лицевая сторона кристалла. Медный слой на лицевой стороне кристалла позволяет использовать медные проводники, обладающие лучшими характеристиками в отношении устойчивости к циклическим нагрузкам, по сравнению с алюминиевыми проводниками.
  • Обратная сторона кристалла. Новый способ диффузионной пайки повышает теплопроводность и стабильность соединения (кристалла и DCB подложки) даже при скачках температуры во время работы.
  • DCB подложка и базовая плата. Базовая плата играет ключевую роль в терморегулировании во многих приложениях. Высоконадежный метод пайки снижает износ паяного соединения.

Доступность

Первый доступный модуль с использованием новой технологии .XT - FF900R12IP4LD в конструктивном исполнении PrimePACK 2. Это модуль с топологией 'полумост', обеспечивающий ток 900A rms, на базе кристаллов IGBT4 с максимальной рабочей температурой Tj max 150°C.

Подробнее Подробнее

04.03.2010
Новые МОП транзисторы серии OptiMOS≥ на 25В для DC/DC источников питания материнских плат серверов и телекоммуникационных приложений.

Компания Infineon Technologies представила семейство транзисторов OptiMOS≥ на 25В, предназначенных для регулирования напряжения в блоках питания серверов и телекоммуникационных коммутаторов. Новые транзисторы также устанавливаются в силовые драйверы TDA21220 семейства DrMOS, соответствующие спецификации Intel DrMOS.

Новые транзисторы позволяют снизить потери мощности источников питания почти на 20% и обеспечивают оптимальную эффективность при любых нагрузках. Так же большая плотность рассеиваемой мощности позволяет уменьшить плату для понижающего трансформатора больше, чем на 40% в стандартном блоке питания.

Например, в 6ти фазном регуляторе напряжения, новые транзисторы обеспечивают максимальную эффективность - 93% и более чем 90% эффективность по выходным токам в диапазоне от 30А до 180А при использовании драйвера на 5В. Малое сопротивление во включенном состоянии, низкий заряд затвора и малая выходная емкость позволили достичь подобной эффективности.

Согласно данным фирм по исследованию рынка, в 2011 году в мире будет насчитываться до 60 миллионов серверов. Сервер потребляет в среднем 600 Вт, что соответствует 36 ГВт. Снижение потребления даже на 1% ( 360МВт), сравнимо с мощностью гидроэлектростанции. Также более эффективные источники питания сокращают потребности в охлаждении, снижают потребление электроэнергии.

Компания Infineon Technologies предлагает новые транзисторы OptiMOS на 25В в трех типах корпусов: SuperSO8, CanPAK и S3O8. Новое устройство семейства DrMOS - TDA21220 - многокристальная микросхема, содержащая в корпусе размером 6х6 мм 2 новых силовых транзистора OptiMOS и кристалл драйвера.

Транзисторы OptiMOS 25В по соответствующим показателям качества превосходят транзисторы Trench-технологии с малым сопротивлением во включенном состоянии и латеральные (с горизонтальной структурой) МОП транзисторы с ультра низким зарядом затвора. При том же сопротивлении во включенном состоянии у транзисторов OptiMOS 25В на 35% ниже заряд затвора по сравнению с транзисторами Trench-технологии и на 50% ниже заряд затвор-сток по сравнению с лучшими латеральными МОП транзисторами.

Доступность и цены

Доступны опытные образцы транзисторов OptiMOS 25В и TDA21220 DrMOS.

Во втором квартале этого года компания Infineon так же планирует выпустить транзисторы OptiMOS на 30В. В сочетании с цифровыми контроллерами DC/DC и другими устройствами управления питанием компании Infineon, эта линейка транзисторов идеально подойдет для блоков питания ноутбуков. Они так же соответствуют требованиям, как системных блоков, так и требованиям Intel по эффективности и производительности.

Подробнее OptiMOS 25В
Подробнее PB-TDA21211

09.02.2010
Обновлен раздел "Силовые полупроводники": добавлена информация по кристаллам IGBT и дискретным IGBT

19.01.2010
IGBT RC-Drives - новое семейство 600В IGBT транзисторов Infineon для электроприводов бытовой техники.

Компания Infineon представила семейство IGBT транзисторов для электроприводов бытовой техники. Новые оптимизированные по цене IGBT транзисторы на 600В позволяют сделать экономически выгодным применение электроприводов с регулируемой скоростью вращения, что уменьшит энергопотребление до 30%.

Новое семейство IGBT транзисторов, изготовленные по технологии TRENCHSTOP≥ с обратным диодом в одном кристалле, являются развитием семейства транзисторов RC-H, предназначенных для систем индукционного нагрева.

В результате удалось создать IGBT транзиcтор для работы в режимах жесткого переключения (индуктивная нагрузка ) с низкими потерями проводимости, с уменьшенной площадью кристалла. Это, в свою очередь, позволяет сократить площадь печатной платы и размеры радиатора и уменьшить на 10% стоимость всей системы.

Доступны Транзисторы на 4А, 6А, 10А и 15А в двух типах корпусов: DPAK (TO-252) и IPAK (TO-251) с размерами 2,30мм x 6,50мм x 7,22мм. Это позволяет разрабатывать недорогие приводы мощностью от 30Вт до 2кВт. За счет оптимизации платы на транзисторе 15А, производитель может сократить площадь, занимаемую транзисторами до 50%.

Низкое напряжение насыщения новых транзисторов идеально для рабочих частот бытовых приводов(4 - 15кГц), при которых доминируют потери проводимости. Это предотвращает перегрев даже при работе сильноточных приборов с полной нагрузкой. Низкий уровень электромагнитных помех достигается благодаря технологии TRENCHSTOP≥ IGBT.

Подробнее Подробнее

18.01.2010
Компания Infineon расширяет линейку силовых МОП-транзисторов OptiMOS≥: 200В и 250В

Компания Infineon представляет новое семейство силовых МОП-транзисторов OptiMOS≥ на 200В и 250В, предназначеных для синхронного выпрямления в системах с напряжением питания 48В, например, для использования в DC-DC конверторах, в источниках бесперебойного питания (ИБП) и инверторах для двигателей постоянного тока.

У разработчиков, проектирующих блоки питания на 48В с диодным выпрямительным звеном во вторичных источниках энергии, появилась альтернатива, обладающая большей эффективностью и меньшими потерями энергии.

Характерная черта семейства транзисторов OptiMOS на 200В и 250В - сопротивление во включенном состоянии на 50% ниже, чем у аналогов, что обеспечивает минимальные потери мощности при больших рабочих токах. Самый низкий заряд затвора - на 35% ниже, чем у аналогов - способствует уменьшению потерь и быстрому переключению в импульсных устройствах таких, как изолированные DC-DC конверторы. Применение новых транзисторов дает возможность снизить стоимость за счет сокращения числа параллельно включенных устройств и использовать меньшие радиаторы, благодаря небольшому сопротивлению.

Отличные характеристики семейства OptiMOS 200В и 250В позволяют использовать тонкий корпус SuperSO8 (5мм*6мм*1мм) в тех устройствах, где раньше требовались крупные устройства D2PAK (9мм*10мм*4,5мм). Корпус SuperSO8 позволяет уменьшить на 90% площадь, необходимую для полупроводникового элемента, и создавать более мощные устройства.

Доступны компоненты семейства OptiMOS 200В и 250В: в корпусах TO-220, TO-262, D2PAK и SuperSO8 с сопротивлениями R DS(on) 10,7мОм, 20 мОм, 32 мОм и 60 мОм.

Подробнее Подробнее

Страницы: 1 2 3 [Следующая >>]
© 1999-2016 All Right Reserved. EFO Ltd. При использовании материалов ссылка на источник обязательна.
Контактная информация