Aсинхронная SRAM

Aсинхронная SRAM

Асинхронная SRAM (Static Random Access Memory, статическое ОЗУ) компании Netsol обеспечивает кратковременное хранение данных с доступом в произвольный момент времени. Микросхема памяти обеспечивает быстрое время доступа, низкий ток потребления, высокую надежность. Асинхронная SRAM имеет организацию слов 16 или 8 бит. Микросхема имеет 16 (8) линий ввода/вывода и выход разрешения вывода. Имеется возможность доступа к младшему или старшему байту с помощью выводов UB, LB. При производстве используется современная технология КМОП 6-TR. Асинхронная SRAM широко используется во встраиваемых приложениях, в которых требуется кратковременное хранение данных.

Быстрая асинхронная SRAM

Характеристики

  • Быстрое время доступа 8, 10, 12, 15 нс (макс.).

      •     Энергопотребление Standby: TTL – 10 мA (макс.);

CMOS – 6 мA (макс.);

           рабочее – 35 мA (8 нс, макс.);

  30 мA (10 нс, макс.).

  • Напряжение питания: 3,3 ±0,3 В; 5,0 ±0,5 В; 1,65-3,6 В.
  • Линии ввода/вывода TTL-совместимы.
  • Полностью статическая работа, без тактовой частоты или Refresh.
  • Трехстабильные выводы.
  • Режим контроля байт данных Data Byte Control (x16 Mode)

LB: I/O0 - I/O7; UB: I/O8 - I/O15.

  • Стандартные корпуса: 44TSOP2, 48FBGA, 32sTSOP1.
  • Соответствует ROHS.
  • Коммерческий и индустриальный температурные диапазоны.
Быстрая асинхронная SRAM

Емкость

Наименование*

Организация

VDD, В

Время доступа, нс

Корпус

1 Мбит

S6R1016W1A

64 K x 16

1,65-3,6

8, 10, 12, 15

44TSOP2, 48FBGA

S6R1016V1A

64 K x 16

3,0-3,6

8, 10

44TSOP2, 48FBGA

S6R1016C1A

64 K x 16

4,5-5,5

10

44TSOP2

S6R1008W1A

128 K x 8

1,65-3,6

8, 10, 12, 15

32sTSOP1, 48FBGA

S6R1008V1A

128 K x 8

3,0-3,6

8, 10

32sTSOP1, 48FBGA

S6R1008C1A

128 K x 8

4,5-5,5

10

32sTSOP1

2 Мбит

S6R2016W1A

128 K x 16

1,65-3,6

8, 10, 12, 15

44TSOP2, 48FBGA

S6R2016V1A

128 K x 16

3,0-3,6

8, 10

44TSOP2, 48FBGA

S6R2016C1A

128 K x 16

4,5-5,5

10

44TSOP2, 48FBGA

S6R2008W1A

256 K x 8

1,65-3,6

8, 10, 12, 15

44TSOP2, 36FBGA

S6R2008V1A

256 K x 8

3,0-3,6

8, 10

44TSOP2, 36FBGA

S6R2008C1A

256 K x 8

4,5-5,5

10

44TSOP2, 36FBGA

4 Мбит

S6R4016W1A

256 K x 16

1,65-3,6

8, 10, 12, 15

44TSOP2, 48FBGA

S6R4016V1A

256 K x 16

3,0-3,6

8, 10

44TSOP2, 48FBGA

S6R4016C1A

256 K x 16

4,5-5,5

10

44TSOP2, 48FBGA

S6R4008W1A

512 K x 8

1,65-3,6

8, 10, 12, 15

44TSOP2, 36FBGA

S6R4008V1A

512 K x 8

3,0-3,6

8, 10

44TSOP2, 36FBGA

S6R4008C1A

512 K x 8

4,5-5,5

10

44TSOP2, 36FBGA

8 Мбит

S6R8016W1A

512 K x 16

1,65-3,6

8, 10, 12, 15

44TSOP2, 48FBGA

S6R8016C1A

512 K x 16

4,5-5,5

10

44TSOP2, 48FBGA

S6R8008W1A

1 M x 8

1,65-3,6

8, 10, 12, 15

44TSOP2, 48FBGA

S6R8008C1A

1 M x 8

4,5-5,5

10

44TSOP2, 48FBGA

16 Мбит

S6R1616W1M

1 M x 16

1,65-3,6

8, 10, 12, 15

48TSOP1, 48FBGA

S6R1616V1M

1 M x 16

3,0-3,6

8, 10

48TSOP1, 48FBGA

S6R1616C1M

1 M x 16

4,5-5,5

10

48TSOP1, 48FBGA

S6R1608W1M

2 M x 8

1,65-3,6

8, 10, 12, 15

44TSOP2, 48FBGA

S6R1608V1M

2 M x 8

3,0-3,6

8, 10

44TSOP2, 48FBGA

S6R1608C1M

2 M x 8

4,5-5,5

10

44TSOP2, 48FBGA

32 Мбит

S6R3216W1M

2 M x 16

1,65-3,6

8, 10, 12, 15

48FBGA

S6R3208W1M

4 M x 8

1,65-3,6

8, 10, 12, 15

48FBGA

 

 

Малопотребляющая асинхронная SRAM

Характеристики

• Быстрое время доступа: 45, 55, 70 нс (макс.).

• Низкая рассеиваемая мощность:

ток потребления в режиме Standby:

– типовое значение 2 мкA,

– максимальное значение 10 мкА;

ток потребления рабочий:

– типовое значение 15 мA (tAA = 55 нс),

– максимальное значение 20 мA (tAA = 55 нс).

• Напряжение питания: 2,3–3,6 В, 4,5–5,5 В.

• Полностью статическая работа, без тактовой частоты или Refresh.

• Трехстабильные выводы.

• Режим контроля байт данных Data Byte Control (x16 Mode)

LB: : I/O0- I/O7, UB : I/O8- I/O15

• Стандартные корпуса: 32SOP, 32TSOP1, 32sTSOP1, 32TSOP2, 44TSOP2, 48FBGA.

• Соответствует ROHS.

• Коммерческий и индустриальный температурные диапазоны.

• Доступна опция 2CS.

 

Малопотребляющая асинхронная SRAM

Емкость

Наименование*

Организация

VDD, В

C/S

Время доступа,  нс

Корпус

1 Мбит

S6L1016W1M

64 K x 16

2,3-3,6

1 C/S

45, 55, 70

44TSOP2, 48FBGA

S6L1016C1M

64 K x 16

4,5-5,5

1 C/S

45, 55, 70

44TSOP2, 48FBGA

S6L1008W2M

128 K x 8

2,3-3,6

2 C/S

45, 55, 70

32sTSOP1, 32SOP

S6L1008C2M

128 K x 8

4,5-5,5

2 C/S

45, 55, 70

32sTSOP1, 32SOP

2 Мбит

S6L2016W1M

128 K x 16

2,3-3,6

1 C/S

45, 55, 70

44TSOP2, 48FBGA

S6L2016W2M

128 K x 16

2,3-3,6

2 C/S

45, 55, 70

48FBGA

S6L2016C1M

128 K x 16

4,5-5,5

1 C/S

45, 55, 70

44TSOP2

S6L2008W1M

256 K x 8

2,3-3,6

1 C/S

45, 55, 70

36FBGA

S6L2008W2M

256 K x 8

2,3-3,6

2 C/S

45, 55, 70

32sTSOP1, 32SOP

S6L2008C2M

256 K x 8

4,5-5,5

2 C/S

45, 55, 70

32SOP

4 Мбит

S6L4016W1M

256 K x 16

2,3-3,6

1 C/S

45, 55, 70

44TSOP2, 48FBGA

S6L4016W2M

256 K x 16

2,3-3,6

2 C/S

45, 55, 70

44TSOP2, 48FBGA

S6L4016C1M

256 K x 16

4,5-5,5

1 C/S

45, 55, 70

44TSOP2

S6L4016C2M

256 K x 16

4,5-5,5

2 C/S

45, 55, 70

44TSOP2

S6L4008W1M

512 K x 8

2,3-3,6

1 C/S

45, 55, 70

32sTSOP1, 32SOP

S6L4008C1M

512 K x 8

4,5-5,5

1 C/S

45, 55, 70

32sTSOP1, 32SOP

8 Мбит

S6L8016W1M

512 K x 16

2,3-3,6

1 C/S

45, 55, 70

44TSOP2, 48FBGA

S6L8016W2M

512 K x 16

2,3-3,6

2 C/S

45, 55, 70

44TSOP2, 48FBGA

S6L8016C1M

512 K x 16

4,5-5,5

1 C/S

45, 55, 70

44TSOP2, 48FBGA

S6L8016C2M

512 K x 16

4,5-5,5

2 C/S

45, 55, 70

48FBGA

S6L8008W2M

1 M x 8

2,3-3,6

2 C/S

45, 55, 70

44TSOP2, 48FBGA

S6L8008C2M

1 M x 8

4,5-5,5

2 C/S

45, 55, 70

44TSOP2, 48FBGA

* Наименование: S6LXXXXXXX-ptss.

p: корпус, U – 44TSOP-II, X – FBGA, L – 32sTSOP-I, T – 32TSOP-I, B – 28, 32SOP, N – 32TSOP-II, Y – 48TSOP-I.

t: рабочий температурный диапазон, I – индустриальный (–40…+85 °C), C – коммерческий (0…+70 °C).

ss: скорость, 45 – 45 нс, 55 – 55 нс, 70 – 70 нс.

 

Ваш заказ
Наверх